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Surface morphology and composition studies in ingan/GaN film grown by MOCVD

Journal of Semiconductors 2011年第8期32卷 14-17页

作者：陶涛张曌刘炼苏辉谢自力张荣刘斌修向前李毅韩平施毅郑有炓 Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials School of Electronics Science and EngineeringNanjing University

ingan films were deposited on（0001） sapphire substrates with GaN buffer layers under different growth temperatures by metalorganic chemical vapor *** In-composition of ingan film was approximately controlled by changing the growth *** connection between the growth temperature,In content,surface morphology and defect formation was obtained by X-ray diffraction,scanning electron microscopy（SEM） and atomic force microscopy（AFM）.Meanwhile,by comparing the SEM and AFM surface morphology images,we proposed several models of three different defects and discussed the mechanism of *** prominent effect of higher growth temperature on the quality of the ingan films and defect control were found by studying ingan films at various growth temperatures.

关键词： ingan film MOCVD surface morphology V-defects

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