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  • 1 篇 ingan外延薄膜
  • 1 篇 in并入
  • 1 篇 射频等离子体辅助...
  • 1 篇 晶体质量

机构

  • 1 篇 中国科学院大学
  • 1 篇 中国科学院苏州纳...

作者

  • 1 篇 吴渊渊
  • 1 篇 王海啸
  • 1 篇 郑新和
  • 1 篇 杨辉
  • 1 篇 甘兴源
  • 1 篇 王建峰
  • 1 篇 王乃明
  • 1 篇 文瑜

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检索条件"主题词=InGaN外延薄膜"
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高质量ingan的等离子体辅助分子束外延生长和In的反常并入行为
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物理学报 2013年 第8期62卷 380-385页
作者： 吴渊渊 郑新和 王海啸 甘兴源 文瑜 王乃明 王建峰 杨辉 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米器件与应用重点实验室苏州215123 中国科学院大学 北京100080
采用射频等离子体辅助分子束外延技术生长得到了In组分精确可控且高质量的InxGa1xN(x0.2)外延薄膜.生长温度为580℃的In0.19Ga0.81N薄膜(10.2)面非对称衍射峰的半高宽只有587弧秒,背景电子浓度为3.96×1018/cm3.在富金属生长区域,Ga束... 详细信息
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