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High Characteristic Temperature ingaasp/InP Tunnel Injection Multiple-Quantum-Well Lasers

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Chinese Physics Letters 2010年第11期27卷 79-81页

作者：汪洋邱应平潘教青赵玲娟朱洪亮王圩 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences P.O. Box 912 Beijing 100083

我们制作 1.5 m ingaasp/InP 隧道注射 multiple-quantum-well (TI-MQW ) FabryPerot (F-P ) 山脉激光。包括内部 cladding 层和 InP 隧道障碍层，激光 heterostructures 被金属器官的化学蒸汽的免职(MOCVD ) 种。在 20 点的 160 K 的... 详细信息

我们制作 1.5 m ingaasp/InP 隧道注射 multiple-quantum-well (TI-MQW ) FabryPerot (F-P ) 山脉激光。包括内部 cladding 层和 InP 隧道障碍层，激光 heterostructures 被金属器官的化学蒸汽的免职(MOCVD ) 种。在 20 点的 160 K 的典型温度 T0 ?????????? 贈 ?????????????? 雨 ? 雨？？

关键词：多量子阱激光器 ingaasp InP 特征温度隧道化学气相沉积 MOCVD 德州仪器

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ingaasp单量子阱激光器热特性研究

半导体光电 2005年第4期26卷 291-293页

作者：张永明钟景昌路国光秦莉长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春130022 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所吉林长春130033

从ingaasp单量子阱激光器热效应分析入手,采用自行设计的热封闭系统对808nm ingaasp单量子阱激光器温度特性进行了研究.实验表明,在23℃～70℃的温度范围内,器件的功率由1.12W降到0.37 W,斜率效率由1.06 W/A降到0.47 W/A.实验测得其特... 详细信息

从ingaasp单量子阱激光器热效应分析入手,采用自行设计的热封闭系统对808nm ingaasp单量子阱激光器温度特性进行了研究.实验表明,在23℃～70℃的温度范围内,器件的功率由1.12W降到0.37 W,斜率效率由1.06 W/A降到0.47 W/A.实验测得其特征温度T0为321 K.激射波长随温度的漂移为0.45 nm/℃.其芯片的热阻为2.44℃/W.

关键词：单量子阱激光器 ingaasp 热特性特征温度

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ingaasp器件质子位移损伤等效性研究

原子能科学技术 2016年第9期50卷 1701-1705页

作者：黄绍艳刘敏波郭晓强肖志刚盛江坤王祖军姚志斌何宝平唐本奇西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

对基于非电离能量损耗(NIEL)的位移损伤等效性研究方法进行了讨论,计算了不同能量质子在ingaasp材料中的NIEL。利用解析方法对库仑散射引起的NIEL进行了计算,分析了不同库仑散射模型的适用范围,并利用Monte-Carlo方法对核反应引起的NIE... 详细信息

对基于非电离能量损耗(NIEL)的位移损伤等效性研究方法进行了讨论,计算了不同能量质子在ingaasp材料中的NIEL。利用解析方法对库仑散射引起的NIEL进行了计算,分析了不同库仑散射模型的适用范围,并利用Monte-Carlo方法对核反应引起的NIEL进行了计算。以ingaasp多量子阱激光二极管为研究对象,开展了4、5和8 MeV质子辐照实验,获得了激光二极管的阈值电流损伤系数。研究结果表明:实验用不同能量质子辐射环境下的阈值电流损伤系数测试结果与NIEL理论计算结果之间呈线性关系。

关键词： ingaasp NIEL 位移损伤等效性

InGaAs/ingaasp/InP等异质结构体材料最窄能带隙的实验确定

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物理学报 2000年第1期49卷 119-123页

作者：丁国庆武汉邮电科学研究院武汉430074

报道了几种典型的光压谱（ＰＶＳ）和光荧光谱（ＰＬＳ）；比较了ＰＶＳ中吸收边Ｅα和ＰＬＳ中峰能值Ｅｐ的关系；分析指出，最窄能带隙Ｅｇ＝Ｅｐ－１２ＫＴ＝Ｅα；理论分析和实验结果一致．

关键词： InGaAs ingaasp InP 异质结构体材料最窄能带隙

外电场对ingaasp/InP量子阱内激子结合能的影响

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物理学报 2013年第23期62卷 308-312页

作者：王文娟王海龙龚谦宋志棠汪辉封松林山东省激光偏光与信息技术重点实验室曲阜师范大学物理系曲阜273165 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院上海高等研究院上海201203

在有效质量近似下采用变分法计算了ingaasp/InP量子阱内不同In组分下的激子结合能,分析了结合能随阱宽和In组分的变化情况,并且讨论了外加电场对激子结合能的影响.结果表明:激子结合能是阱宽的一个非单调函数,随阱宽的变化呈现先增加后... 详细信息

在有效质量近似下采用变分法计算了ingaasp/InP量子阱内不同In组分下的激子结合能,分析了结合能随阱宽和In组分的变化情况,并且讨论了外加电场对激子结合能的影响.结果表明:激子结合能是阱宽的一个非单调函数,随阱宽的变化呈现先增加后减小的趋势;随着In组分增大,激子结合能达到最大值的阱宽相应变小,这与材料的带隙改变有关;在一定范围内电场的存在对激子结合能的影响很小,但电场强度较大时会破坏激子效应.

关键词：激子 ingaasp InP量子阱结合能电场

Electrically Pumped Room-Temperature Pulsed ingaasp-Si Hybrid Lasers Based on Metal Bonding

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Chinese Physics Letters 2009年第6期26卷 151-153页

作者：陈挺洪涛潘教青陈娓兮程远兵汪洋马小波刘卫丽赵玲娟冉广照王圩秦国刚 State Key Lab for Mesoscopic Physics and School of Physics Peking University Beijing 100871 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics Laboratory of Nano Technology Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology Chinese Academy of Sciences Shanghai 200050

搏动的 ingaasp-Si 混合激光用金属结合被制作。光联合和金属结合区域横着在被分开的新奇结构被采用与 ingaasp 多量集成硅波导很好分布式的反馈结构。当电子上在房间温度抽了时，激光与 2.9kA/cm 2 的阀值水流密度和 0.02 W/A 的斜坡... 详细信息

搏动的 ingaasp-Si 混合激光用金属结合被制作。光联合和金属结合区域横着在被分开的新奇结构被采用与 ingaasp 多量集成硅波导很好分布式的反馈结构。当电子上在房间温度抽了时，激光与 2.9kA/cm 2 的阀值水流密度和 0.02 W/A 的斜坡效率操作。1542 nm 激光产量主要从 Si 波导退出。

关键词： ingaasp 金属粘接硅波导激光器电动泵混合脉冲室温

Extrinsic Base Surface Passivation in High Speed ＂Type-II＂ GaAsSb/InP DHBTs Using an ingaasp Ledge Structure

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Chinese Physics Letters 2010年第5期27卷 261-263页

作者：刘洪刚金智苏永波王显泰常虎东周磊刘新宇吴德馨 Microwave Devices and Integrated Circuits Department Institute of Microelectronics Chinese Academy of Sciences Beijing 100029

有有选择地蚀刻的 ingaasp 壁结构的 Type-II GaAsSb/InP DHBT 第一次被制作并且描绘。有 20 nm 的新奇 ingaasp/GaAsSb/InP DHBT 匹配格子的 GaAsSb 底和 75 nm InP 收集者由 2 的一个因素和 190 GHz 的截止频率英尺有 dc 电流获得改进... 详细信息

有有选择地蚀刻的 ingaasp 壁结构的 Type-II GaAsSb/InP DHBT 第一次被制作并且描绘。有 20 nm 的新奇 ingaasp/GaAsSb/InP DHBT 匹配格子的 GaAsSb 底和 75 nm InP 收集者由 2 的一个因素和 190 GHz 的截止频率英尺有 dc 电流获得改进。ingaasp 壁设计提供一条简单却有效的途径压制外来的基础表面再结合并且使 GaAsSb/InP DHBT 能进一步为毫米波浪应用增加操作频率和集成层次。[从作者抽象]

关键词： ingaasp 磷化铟砷化镓表面钝化结构锑类型 GaAsSb

Characteristic Optimization of 1.3 μm High-Speed MQW ingaasp-AIGaInAs Lasers

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Chinese Physics Letters 2012年第6期29卷 141-144页

作者：毛懿伟王耀陈阳华薛正群林琦段延敏苏辉 Fujian Institute Of Research on the Structure of Matter Chinese Academy of SciencesFuzhou 350002

We investigate 1.3μm multi quantum-well (MQW) lasers with ingaasp (well) and InGaAIAs (barrier) on InP for high speed application,compared to the typical structures of In GaAsP (well)-ingaasp (barrier)/InP and InGaAlAs (well)-InGaAlAs (barrier)/InP with the same quaternary in the well and barrier.We calculate the characteristics of band offset and gain of ingaasp-AlGaInAs quantum wells ( Q Ws).The advances of the new Q W design are mainly rooted in the large ratio between conduction-band and valence-band offsets (△Ec:△Ev =7:1),higher than the typical value of 4:6 in ingaasp-ingaasp and 7:3 in InGaAlAs-InGaAlAs for 1.3μm lasers.Due to the 1ow confinement energy of holes,non-uniformity of carrier distribution over multi-ingaasp-AlGaInAs QWs is significantly reduced.The enhancement of high-speed performance of ingaasp-AlGaInAs MQW lasers is investigated in terms of turn-on oscillation.

关键词： ingaasp GaAsP barrier

1.55μm波长ingaasp微盘半导体激光器的室温激射性质

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中国有色金属学报 2007年第5期17卷 732-736页

作者：伍冠洪 J.G.McInerney 长沙理工大学物理与电子科学学院长沙410076 爱尔兰国立科克大学物理系科克

经过外延生长和腐蚀分离后,直径为1～10μm的独立微盘激光器件分别被粘附在多模光纤的端面上。在室温条件下采用光学泵浦,对该类器件均实现了脉冲和连续激射,输出波长在1.5～1.525μm之间,在脉冲和连续输出下阈值泵浦能量分别为64和109... 详细信息

经过外延生长和腐蚀分离后,直径为1～10μm的独立微盘激光器件分别被粘附在多模光纤的端面上。在室温条件下采用光学泵浦,对该类器件均实现了脉冲和连续激射,输出波长在1.5～1.525μm之间,在脉冲和连续输出下阈值泵浦能量分别为64和109μW,激射波长随着热效应增加而呈现红移现象。该类器件在未来全光网络和集成光路中具有良好的应用前景。

关键词： ingaasp 微盘激光器多模光纤光学泵浦集成光路