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半导体光电 1985年第1期 59-60页

作者：沈家树

用LPE方法在半绝缘InP衬底上制作适用于光电单片集成的ingaas pin光电二极管。这种光电二极管具有低的暗电流和高速响应的特点。这种光电二极管在-10V工作电压下,暗电流密度为2.5×10;A/cm;。这个值是目前在这种材料系中所报导的最低值... 详细信息

用LPE方法在半绝缘InP衬底上制作适用于光电单片集成的ingaas pin光电二极管。这种光电二极管具有低的暗电流和高速响应的特点。这种光电二极管在-10V工作电压下,暗电流密度为2.5×10;A/cm;。这个值是目前在这种材料系中所报导的最低值。在-5V工作电压下测得光电二极管的外量子效率在1.3μm波长处大于90%。在1.5μm波长处的外量子效率大于83%,这些器件的上升时间小于35PS,半峰值处全宽（FWHM）小于45PS。

关键词：光电二极管电压量子效率激光效率 ingaas pin pin 基片衬底单片集成半绝缘 InP

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制备在半绝缘磷化铟上的新式ingaas pin光电二极管

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光电子学技术 1987年第4期 86-88页

作者：曲兰欣

In0.53Ga0.47As作为磷化铟（InP）晶格匹配良好的三元材料,在长波长（0.9～1.6μm）光接收机中的应用已被完全确认。在高速光探测方面,文献中已经报道了多种类型的探测器,如肖特基光电二极管、光敏电阻和pin光电二极管。虽然象100GHzGaA... 详细信息

In0.53Ga0.47As作为磷化铟（InP）晶格匹配良好的三元材料,在长波长（0.9～1.6μm）光接收机中的应用已被完全确认。在高速光探测方面,文献中已经报道了多种类型的探测器,如肖特基光电二极管、光敏电阻和pin光电二极管。虽然象100GHzGaAs肖特基二极管这样的极高速光探测器已经有所报道,但是由于ingaas材料的禁带宽度窄,表面态密度高,因此难以用它制备出可靠的肖特基势垒器件。光敏电阻虽显示出数十皮秒(10-12秒)的高速上升时间,并且具有大光电导增益所需要的势能,然而其缺点是

关键词： ingaas pin 暗电流磷化磷酸盐处理半绝缘衬底光电二极管 pin

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低暗电流ingaas pin光电二极管

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微纳电子技术 1985年第3期 37-41页

作者： Katsuya Hasegawa 汤西英

本文研究了1.0～1.6μm 波长范围低暗电流 ingaas/InP pin 光电二极管。阐明了造成通常 ingaas/InP 光电二极管暗电流的原因是通过 ingaasp-n 结不稳定表面的漏电流。制造了一种新式结构的光电二极管,并对其光电特性进行了研究。在这种... 详细信息

本文研究了1.0～1.6μm 波长范围低暗电流 ingaas/InP pin 光电二极管。阐明了造成通常 ingaas/InP 光电二极管暗电流的原因是通过 ingaasp-n 结不稳定表面的漏电流。制造了一种新式结构的光电二极管,并对其光电特性进行了研究。在这种结构中,p-n 结的边缘露在 InP 表面,结果得到了暗电流低于1nA 的稳定的 ingaas/JnP 光电二极管,此值约为锗光电二极管的1/1000。

关键词：光电二极管 InP 波长范围漏电流 ingaas pin 暗电流 pin

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高速ingaas pin光电二极管频率响应测试的新方法

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激光与红外 1988年第1期 33-35页

作者：廖先炳电子部44所

对很高速率传输系统来说,需要发展高速光电探测器件,如何测量这些高速光电二极管(PD)的频率响应显得十分重要。然而在常规测试系统中,即直接使用光学信号调制或通过外调制的频率响应的测试方法受到激光器或调制带宽的限制,目前可测得的... 详细信息

对很高速率传输系统来说,需要发展高速光电探测器件,如何测量这些高速光电二极管(PD)的频率响应显得十分重要。然而在常规测试系统中,即直接使用光学信号调制或通过外调制的频率响应的测试方法受到激光器或调制带宽的限制,目前可测得的最大带宽为10GHz。通常测量PD的频率响应是以取样示波器为基础,而示波器的极限分辨能力仅为25ps,为了准确测量20ps或20ps以下的高速响应PD,这种方法显得不适应了。在PD的频

关键词：脉冲响应 PD 时间特性自相关函数 ingaas pin 光学外差探测光电二极管 pin 频率响应频率特性光取样

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一种引力波探测用高灵敏度四象限光电探测器

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半导体光电 2021年第2期42卷 174-178页

作者：崔大健李星海余沛玥陈扬任丽刘河山重庆光电技术研究所重庆400060 中国科学院力学研究所北京100190

针对引力波探测空间天线激光干涉仪对四象限光电探测器提出的低噪声、高灵敏度、高带宽的要求,设计了一种四象限光电探测器芯片与读出电路混合集成的低噪声光电探测器。四象限光电探测器芯片采用四个性能一致的双耗尽区ingaas pin光电... 详细信息

针对引力波探测空间天线激光干涉仪对四象限光电探测器提出的低噪声、高灵敏度、高带宽的要求,设计了一种四象限光电探测器芯片与读出电路混合集成的低噪声光电探测器。四象限光电探测器芯片采用四个性能一致的双耗尽区ingaas pin光电二极管单片集成结构,以降低二极管电容,减小象限间隔,提高灵敏度。通过PSPICE软件对由探测器芯片、低噪声跨阻放大读出电路构成的探测器模块进行了仿真,优化了电路参数,计算出相应的增益、带宽、噪声功率密度。性能测试表明,研制的集成式探测器模的-3dB带宽为28.3MHz,等效噪声功率密度为1.7pW/Hz^(1/2),象限增益一致性为0.76%,基本满足空间激光干涉仪的需求。

关键词：四象限光电探测器引力波 ingaas pin 等效噪声功率密度跨阻放大器

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