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检索条件"主题词=InGaAs/InP PIN photodetectors"
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Optical properties of Zn-diffused inp layers for the planar-type ingaas/inp photodetectors
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Journal of Semiconductors 2017年 第12期38卷 56-61页
作者： Guifeng Chen Mengxue Wang Wenxian Yang Ming Tan Yuanyuan Wu Pan Dai Yuyang Huang Shulong Lu Key Laboratory for New Type of Functional Materials in Hebei Province School of Material and EngineeringHebei University of TechnologyTianjin 300130China Key Laboratory of Nanodevices and Applications Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-BionicsChinese Academy of Sci-encesSuzhou 215123China Suna optoelectronics Suzhou 215123China
Zn diffusion into inp was carried out ex-situ using a new Zn diffusion technique with zinc phosphorus particles placed around inp materials as zinc source in a semi-closed chamber formed by a modified diffusion furnac... 详细信息
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