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Electronic Structures and Optical Properties of Ga Doped Single-Layer Indium Nitride

Chinese Journal of Chemical Physics 2018年第3期31卷 313-317,368页

作者： Zhi-wei Li De-ping Guo Guang-yi Huang Wang-li Tao Man-yi Duan College of Physics and Electronic Engineering Sichuan Normal UniversityChengdu 610101China Division of Interfacial Water and Key Laboratory of Interfacial Physics and Technology Shanghai Institute of Applied PhysicsChinese Academy of SciencesShanghai 201800China

Electronic structures and optical properties of single-layer in1-xgaxn are studied by employ-ing Heyd-Scuseria-Ernzerh(HSE)method based on the first-principles.The band structure and density of states(DOS)of single-layer in1-xgaxn are calculated,and the band gap ranges from 1.8 eV to 3.8 eV as the ratio x changes,illustrating the potential for the tun-ability of band gap values via Ga doped.We also have investigated optical properties of single-layer in1-xgaxn such as dielectric function,refractive index and absorption coeficient,the main peak of dielectric function spectrum and the absorption edge are found to have a remarkable blue-shift as the concentration of Ga increases.Furthermore,the optical properties of single-layer in1-xgaxn are analyzed based on the band structures and DOS analysis.Such unique optical properties have profound application in nanoelectronics and optical devices.

关键词： Electronic structure Optical properties Single-layer in1-xgaxn Heyd-Scuseria-Ernzerh method

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