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    • 1 篇 电子科学与技术（可...
    • 1 篇 化学工程与技术

主题

  • 2 篇 in0.82ga0.18as
  • 1 篇 金属有机化学气相...
  • 1 篇 散射机制
  • 1 篇 缓冲层
  • 1 篇 变温霍尔效应

机构

  • 1 篇 海南师范大学
  • 1 篇 中国科学院激发态...
  • 1 篇 山东省多光子纠缠...
  • 1 篇 发光学及应用国家...

作者

  • 1 篇 符运良
  • 1 篇 傅军
  • 1 篇 宋航
  • 1 篇 蒋红
  • 1 篇 张铁民
  • 1 篇 曹连振
  • 1 篇 林红
  • 1 篇 缪国庆
  • 1 篇 刘霞

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=In0.82Ga0.18As"
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in0.82ga0.18as材料的低温电学性质研究
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低温物理学报 2014年 第6期36卷 450-454页
作者： 刘霞 曹连振 蒋红 宋航 山东省多光子纠缠与操纵重点实验室 潍坊学院物理与光电工程学院 发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
利用低压-金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)设备,采用两步生长及缓冲层热退火处理在InP衬底上制备了高质量的in0.82ga0.18as外延材料.研究了缓冲层退火前后in0.82ga0.18as外延材料的低温电学性质,通过变温霍尔效应测试得到了载流子的浓... 详细信息
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
利用In_(0.82)ga_(0.18)As与InP衬底之间的应力制作结构材料的缓冲层
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发光学报 2011年 第6期32卷 612-616页
作者： 张铁民 缪国庆 傅军 符运良 林红 海南师范大学物理与电子工程学院 海南海口571158 中国科学院激发态物理重点实验室长春光学精密机械与物理研究所 吉林长春130033
采用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术,在InP(100)衬底上生长in0.82ga0.18as,研究生长温度对in0.82ga0.18as材料表面形貌、结晶质量和电学性能的影响。利用InP(100)衬底与in0.82ga0.18as材料晶格失配所产生的应变,在不同的生长... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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