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作者

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  • 1 篇 中文
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In原子在GaAs(001)表面的成核与扩散研究
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人工晶体学报 2020年 第12期49卷 2268-2273页
作者： 王一 丁召 魏节敏 杨晨 罗子江 王继红 郭祥 贵州大学大数据与信息工程院 贵阳550025 教育部半导体功率器件可靠性工程中心 贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室 贵阳550025 贵州财经大学信息学院 贵阳550025
近年来,半导体量子点特别是InAs量子点的基本物理性质和潜在应用得到了广泛研究。许多研究者利用InAs量子点结构的改变以调制其光电特性。本文采用液滴外延法在GaAs(001)表面沉积了不同沉积量的In(3 ML、4 ML、5 ML),以研究In的成核机... 详细信息
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