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improvement of the open circuit voltage of cztse thin-film solar cells by surface sulfurization using sns

Chinese Physics Letters 2015年第12期32卷 160-162页

作者：孙顶葛阳许盛之张力李宝璋王广才魏长春赵颖张晓丹 Institute of Photo Electronics thin film Devices and Technology and Key Laboratory of Photoelectronic Thin Film Devices and TechnologyNankai University

The objective of this study is to find an effective method to improve Voc without Jsc loss for Cu2Znsnse4 （cztse） thin film solar cells, which have been fabricated by the one step co-evaporation technique. surface sulfurization of cztse thin films is carried out by using one technique that does not utilize toxic H2S gas; a sequential evaporation of sns after cztse deposition and the annealing of cztse thin films in selenium vapor. A Cu2ZnSn（S, Se）4 （CZTSSe） thin layer is grown on the surface of the cztse thin film after the annealing. The conversion efficiency of the completed device is improved due to the enhancement of Voc, which could be attributed to the formation of a hole-recombination barrier at the surface or the passivation of the surface and grain boundary by S incorporation.

关键词： improvement of the open circuit voltage of cztse thin-film solar cells by surface sulfurization using sns

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