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文献类型

  • 2 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 2 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 2 篇 材料科学与工程（可...
    • 2 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 2 篇 isfet器件
  • 1 篇 滞后特性
  • 1 篇 离子敏
  • 1 篇 敏感机理
  • 1 篇 ph-isfet
  • 1 篇 场效应晶体管

机构

  • 1 篇 东南大学
  • 1 篇 哈尔滨工业大学

作者

  • 1 篇 张玉良
  • 1 篇 王贵华
  • 1 篇 牛蒙年
  • 1 篇 虞惇
  • 1 篇 丁辛芳

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=ISFET器件"
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离子敏场效应晶体管
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传感器技术 1995年 第4期14卷 1-6页
作者： 丁辛芳 牛蒙年 东南大学微电子中心
近年来对基于ＭＯＳ技术制造的离子散场效应晶体管（ＩＳＦＥＴ）的特性研究做了大量的工作。综述了ＩＳＦＥＴ器件（尤其是ｐＨ－ＩＳＦＥＴ）在敏感机理、集成化、封装和应用等方面的研究状况与新进展。
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
pH-isfet滞后特性的研究
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传感器技术 1989年 第4期8卷 12-17页
作者： 虞惇 张玉良 王贵华 哈尔滨工业大学
离子敏场效应晶体管具有体积小、重量轻、响应快、输入阻抗高、输出阻抗低、可全固体化、易于实现多功能化等优点,受到国内外普遍重视,其研究工作已取得了显著进展。但推广应用中有不少困难,其原因在于目前器件尚未完善,除可靠性尚不够... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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