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检索条件"主题词=IMPATT silicon carbide terahertz（THz） science"
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Low noise wide bandgap SiC based impatt diodes at sub-millimeter wave frequencies and at high temperature
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Journal of Semiconductors 2014年 第3期35卷 50-55页
作者： J.Pradhan S.R.Pattanaik S.K.Swain G.N.Dash School of Physics Sambalpur University Jyoti Vihar Burla Sambalpur Odisha 767019 India Apex Institute of Technology and Management Bhubaneswar Odisha 752101 India
We have presented a comparative account of the high frequency prospective as well as noise behaviors of wide-bandgap 4H-SiC and 6H-SiC based on different structures of impatt diodes at sub-millimeter-wave frequencies ... 详细信息
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