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文献类型

  • 2 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 2 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 1 篇 机械工程
    • 1 篇 材料科学与工程(可...
    • 1 篇 电子科学与技术(可...
    • 1 篇 软件工程

主题

  • 2 篇 igbt3芯片技术
  • 2 篇 高功率igbt模块
  • 2 篇 具备更强机械性能
  • 2 篇 3.3kv

机构

  • 2 篇 英飞凌科技股份公...

作者

  • 1 篇 th. stolze j. bi...
  • 1 篇 m.pfaffenlehner
  • 1 篇 r.spanke
  • 1 篇 th.stolze
  • 1 篇 j.biermann

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=IGBT3芯片技术"
2 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
具备更强机械性能的高功率igbt模块——采用最新33kV igbt3芯片技术
收藏 引用
变频器世界 2009年 第6期 79-82页
作者: Th. Stolze J. Biermann R. Spanke M. Pfaffenlehner 英飞凌科技股份公司
本文介绍了新一代IHM.B具备更强机械性能的高功率igbt模块,其融合了最新的设计、材料、焊接和安装技术。首批IHMB模块将搭载最新的、采用沟槽栅单元设计的3.3kV igbt3芯片,在保持机械兼容性的同时,极大地提高了器件的热效率和电气... 详细信息
来源: 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
具备更强机械性能的高功率igbt模块——采用最新3.3kV igbt3芯片技术
收藏 引用
电力电子 2010年 第1期8卷 69-72页
作者: Th.Stolze J.Biermann R.Spanke M.Pfaffenlehner 英飞凌科技股份公司
本文介绍了新一代IHM.B具备更强机械性能的高功率igbt模块,其融合了最新的设计、材料、焊接和安装技术。首批IHM.B模块将搭载最新的、采用沟槽栅单元设计的3.3kV igbt3芯片,在保持机械兼容性的同时,极大地提高了器件的热效率和电气效率... 详细信息
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