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电子测量与仪器学报 2020年第10期32卷 98-106页

作者：王晨苑何怡刚王传坤李猎李济源武汉大学电气与自动化学院武汉430072

绝缘栅双极型晶体管(igbt)作为电力电子装置的关键核心器件,其高可靠性是系统长久稳定运行的重要保障,对igbt模块进行故障监测是提高系统可靠性的有效方式之一。提出一种新的健康敏感参数-栅极-发射极导通前电压VGE(pre-on),用于监测高... 详细信息

绝缘栅双极型晶体管(igbt)作为电力电子装置的关键核心器件,其高可靠性是系统长久稳定运行的重要保障,对igbt模块进行故障监测是提高系统可靠性的有效方式之一。提出一种新的健康敏感参数-栅极-发射极导通前电压VGE(pre-on),用于监测高压多芯片并联igbt模块中的igbt芯片故障。首先,对现有故障监测方法进行比较,然后建立导通前电压可靠性模型,再通过监测导通瞬态期间的VGE(pre-on)来检测高压多芯片并联igbt模块中的igbt芯片故障。为验证该方法的可行性,对16芯片DIM800NSM33-F igbt模块进行了仿真,结果显示,在不同外部条件下,每个并联igbt芯片故障所产生的导通前电压VGE(pre-on)的平均偏移约为900 mV,且具有较高的灵敏度和抗干扰能力,可有效监测igbt模块芯片故障。

关键词：高压多芯片igbt模块导通前电压VGE(pre-on) igbt芯片故障故障监测

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