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Rare-Earth Functional Films Prepared by Ion Beam Epitaxy

Journal of Rare Earths 2005年第5期23卷 536-536页

作者： Yang Shaoyan Chai Chunlin Zhou Jianping Liu Zhikai Chen Yonghai Chen Nuofu Wang Zhanguo Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors ChineseAcademy of Sciences Beijing 100083 China

Ion beam epitaxy （ibe） technology is a significant method for preparing high pure and high quality rare-earth functional films at low growth temperatue. A new method of preparing rare-earth functional films by ion beam epitaxy was reviewed in details. The recent developments and application of ibe on rare-earth functional films is focused, particularly for high-K materials CeO2, photoluminescence materials Gd2O3 and magnetic semiconductor materials Si1-x Gdx.

关键词： rare-earth functional films ibe technology high pure growth low temperature epitaxy

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