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Pressure effect study on the Ⅰ-Ⅴ property of the GaAs-based resonant tunnelling structure by photoluminescence measurement

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Chinese Physics B 2010年第4期19卷 418-422页

作者：李秋柱王楷群菅傲群刘鑫张斌珍 National Key Laboratory for Electronic Measurement Technology North University of China Key Laboratory of instrumentation Science and Dynamic Measurement(North University of China) Ministry of Education

This paper discusses the i-v property of the GaAs-based resonant tunnelling structure （RTS） under external uniaxial pressure by photoluminescence studies. Compressive pressure parallel to the [110] direction, whose value is determined by Hooke＇s law, is imposed on the sample by a helix micrometer. With the increase of the applied external uniaxial compressive pressure, the blue shift and splitting of the luminescence peaks were observed, which have some influence on the i-v curve of RTS from the point of view of the energy gap, and the splitting became more apparent with applied pressure. Full width at half maximum broadening could also be observed.

关键词： resonant tunnelling structure i-v curve photoluminescence measurement peak shift peak split full width at half maximum broadening

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Coulomb effects in the Ge/Si Single Quantum Dot

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2012 China Functional Materials Technology and industry Forum

作者： Lihong Zhang Chong Wang Jie Yang Jintao Yao Yu Yang institute of Optoelectronic information Materials Yunnan University

Using scanning probe microscopy(SPM) technique,the electronic properties of Ge/Si quantum dots(QDs) have been *** results demonstrate that a layer of a disordered structure is formed between the Ge/Si QDs and the surface of Si substrate due to the defects in QDs during the bias voltage *** is,a double tunneling system in which the Coulomb blocking effect can be observed is constructed during the electronic measurement for the single quantum dot (SQD).

关键词： Ge/Si single QD i-v curve Coulomb characteristics

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