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检索条件"主题词=Hole-Transporting-Layer-Free"

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p-Type Semiconductor Doping Affords hole-transporting-layer-free Thin-film Perovskite Solar Cells with High Stability

p-Type Semiconductor Doping Affords Hole-Transporting-Layer-...

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第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会

作者： Zhongmin Zhou College of Chemistry and Molecular Engineering Qingdao University of Science and Technology

Poor performance of thin perovskite films arises partly from small crystal grains that tend to suffer from defects at the grain boundaries of small crystals, leading to an inadequate PCE and a short lifetime. Consequently, there is a need for studies on crystal growth and grain size control. Perovskite crystal grains that are tens of nanometers in size are morphologically less stable than large ones. We have now found that doping with a very small amount of an organic/inorganic hybrid p-type organic semiconductor, a bissodium salt of fluorinated tetraarylbenzo[1,2-b:4,5-b￠] dipyrrol-1,5-yl alkanediylbissulfonate(BDPSO), enhances both the efficiency and stability of devices. We report herein that an inverted structure device on an indium tin oxide(ITO)/glass, using a thin MAPbI film doped with 0.03 wt % of BDPSO, does not require a precast hole transporting layer(HTL). It exhibits improved PCE and high device stability. For example, the device on ITO/glass, onto which we directly coated a 280-nm-thick PV film doped with 0.03 wt % of BDPSO showed 30% improvement in PCE(16.9%) over an undoped reference device without a HTL, and it retained 93% of its initial PCE after 1000 h continuous light soaking at the maximum power point(MPP).

关键词： p-Type Semiconductor doping hole-transporting-layer-free Perovskite Solar Cells stability

来源： cnki会议评论

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