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  • 1 篇 工学
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    • 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 1 篇 hfo2
  • 1 篇 hf基高k栅介质材料...
  • 1 篇 mosfet器件
  • 1 篇 高k栅介质

机构

  • 1 篇 苏州大学
  • 1 篇 中国科学院上海微...

作者

  • 1 篇 诸葛兰剑
  • 1 篇 葛水兵
  • 1 篇 余涛
  • 1 篇 吴雪梅

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=Hf基高K栅介质材料"
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高k栅介质材料的研究现状与前景
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材料导报 2010年 第21期24卷 25-29页
作者： 余涛 吴雪梅 诸葛兰剑 葛水兵 苏州大学物理系 苏州215006 苏州大学江苏省薄膜材料重点实验室 苏州215006 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 苏州大学分析测试中心 苏州215006
论述了45～32nm技术节点下高k材料取代SiO2的必要性和基本要求,综述了高k栅介质中极具代表性的hf基材料。研究表明,向hfO2中分别掺杂Al、Si、Ta、N等形成的复合hf基高k栅介质材料具备较hfO2更加优异的物理结构、晶化温度、热力学稳定性... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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