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Experimental Demonstration of　heterostructure　intervalley transferred electron effect

引用

固体电子学研究与进展 1993年第1期 6-8页

作者： Xue Fangshi, Deng Yanmao, Zhang Chongren(Nanjing electronic Devices Institute ,210016)Chen Zhonggui(National Key Lab for Semiconductor Superlattices, Beijing.100083)

Precis: Since negative differential resistance in the double barrier heterostructure was originally proposed and demonstrated by chang, Tsu ,and Esaki, there has been extensive investigations aimed at exploiting the resonant tunneling phenomena through heterostructure quantum well and corresponding device application. Among these works only direct gap/direct gap (D/D) heterostructures have been considered. However GaAs/AlAs direct gap/indirect gap (D/I) quantum well has attracted extensive interest in recent years. F-X mixing inside these D/I quantum wells has been investigated by many authors. The resonant tunneling in GaAs/AlAs quantum well has been reported by Mendez et al.

关键词： heterostructure intervalley transferred electron effect. direct gap/indirect gap heterostructure High Efficiency High Power Quantum Well Tunneling intervalley transferred electron Device

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