检索结果-南通市图书馆

Effects of Electric Field on Electronic States in a GaAs/GaAlAs Quantum Dot with Different Confinements

Chinese Physics Letters 2008年第8期25卷 3021-3024页

作者： A. John Peter Vemuri Lakshminarayana Govt. Arts College Melur-625 106 Madurai India Mohamed Sathak Engineering College Kilakarai-623 806 Rarnnad India

Binding energies of shallow hydrogenic impurity in a GaAs/GaAlAs quantum dot with spherical confinement, parabolic confinement and rectangular confinement are calculated as a function of dot radius in the influence of electric field. The binding energy is calculated following a variational procedure within the effective mass approximation along with the spatial depended dielectric function. A finite confining potential well with depth is determined by the discontinuity of the band gap in the quantum dot and the cladding. It is found that the contribution of spatially dependent screening effects are small for a donor impurity and it is concluded that the rectangulax confinement is better than the parabolic and spherical confinements. These results are compared with the existing literature.

关键词： BINDING-ENERGY IMPURITY STATES hydrogenic impurities MAGNETIC-FIELDS DONOR STATES EXCITON GAAS-GA1-XALXAS CRYSTALLITES CLUSTERS GAAS

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