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A Movable Mass Spectroscopy Sampling Apparatus for Measuring Spatial Distribution of Neutral Radicals in Silane Plasma

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Chinese Physics Letters 2005年第4期22卷 904-906页

作者：王照奎林揆训林璇英邱桂明祝祖送 DepartmentofPhysics ShantouUniversityShantou515063

movable mass spectroscopy gas sampling apparatus has been established and astraight-line fit of silane depletion fraction f is proposed. The spatial density distributions ofSiHn (n = 0-3) radicals in silane radio frequency glow discharge have been measured by a massspectrometer. The experimental results demonstrate that the densities of the neutral radicals havethe peak value near the middle position of electrodes, and the densities of SiH2 and SiH3 are higherthan those of Si and SiH in silane plasma. This reveals that SiH2 and SiH3 may be the primaryprecursors in forming the a-Si:H film.

关键词： hydrogenated amorphous-silicon ATOMIC-SCALE ANALYSIS THIN-FILMS PRECURSOR

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Nanomorph silicon Thin Films Prepared by Using an HW-MWECR CVD System

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Chinese Physics Letters 2005年第5期22卷 1260-1263页

作者：胡跃辉陈光华周键儿荣延栋李瀛宋雪梅张文理丁毅高卓马占杰周杯恩朱秀红 DepartmentofMaterialsScienceandEngineering BeijingUniversityofTechnologyBeijing100022//InstituteofJingdezhdenCeramicJingdezhen333001 DepartmentofMaterialsScienceandEngineering BeijingUniversityofTechnologyBeijing100022 InstituteofJingdezhenCeramic Jingdezhen333001

We have prepared hydrogenated nano-amorph silicon (na-Si:H) films by using ahot-wire-assisted microwave electron-cyclotron-resonance (HW-MWECR) chemical vapour deposition (CVD)system. The films are deposited in two steps: in the first 9 min, a hydrogenated amorphous siliconlayer is deposited by using hydrogen-diluted silane with a concentration of SiH4/(SiH4 + H-2) = 20%,and then a nanocrystalline silicon (nc-Si) layer is deposited by using various highlyhydrogen-diluted silane. The Raman TO-like mode peak of the films was found in the range 497-508cm(-1). When the silane concentration used for preparation of the nc-Si layer is 14.3%, the film hasa large crystalline volume fraction of 65.4%, a wide optical band gap of 1.89eV and a low hydrogencontent of 9.5 at.%. Moreover, the na-Si:H films rather than nc-Si possess high photosensitivity ofabout 10(5).

关键词： hydrogenated amorphous-silicon PLASMA

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