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主题

  • 4 篇 hbm模型
  • 2 篇 抗静电能力
  • 2 篇 led
  • 1 篇 静电放电电流
  • 1 篇 电源芯片
  • 1 篇 介质击穿
  • 1 篇 esd
  • 1 篇 加速老化
  • 1 篇 静电放电
  • 1 篇 外延片
  • 1 篇 寄生参数

机构

  • 1 篇 长春理工大学
  • 1 篇 北京大学
  • 1 篇 上海半导体照明工...
  • 1 篇 湖南大学
  • 1 篇 上海海事大学
  • 1 篇 中国电力科学研究...

作者

  • 2 篇 张丽超
  • 1 篇 严伟
  • 1 篇 熊素琴
  • 1 篇 李抒智
  • 1 篇 孙可平
  • 1 篇 苗凤娟
  • 1 篇 庄美琳
  • 1 篇 肖志强
  • 1 篇 李求洋

语言

  • 4 篇 中文
检索条件"主题词=HBM模型"
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考虑寄生参数影响的芯片RC-hbm静电测试模型
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电力系统保护与控制 2022年 第4期50卷 172-179页
作者： 熊素琴 李求洋 肖志强 中国电力科学研究院有限公司 北京100192 湖南大学电气与信息工程学院 湖南长沙410082
采用常规的人体模型(Human Body Model,hbm)进行静电释放(Electro-Static Discharge,ESD)测试时往往容易受到寄生参数的影响,使得电源芯片抗静电能力测量值与实际抗静电能力存在偏差,导致劣质产品通过hbm ESD测试,影响电源芯片产品良品... 详细信息
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IC器件在hbm ESD脉冲电压下的介质击穿实验研究
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北京理工大学学报 2005年 第Z1期25卷 38-40页
作者： 孙可平 苗凤娟 上海海事大学电磁兼容与静电研究室 上海200135
在IC器件氧化绝缘层介质击穿物理模型的基础上,讨论了人体带电放电模型(hbm ESD)中的波动电压 加于氧化层上时的介质击穿．发现了氧化层上的俘获空穴密度临界值随薄膜厚度的变化十分敏感,当厚度由 0．010 μm减少至0．003 μm时,俘获空... 详细信息
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LED外延片上芯片静电击穿的测试分析
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半导体光电 2015年 第2期36卷 209-212页
作者： 李抒智 庄美琳 严伟 张丽超 上海半导体照明工程技术研究中心 上海201203 北京大学上海微电子研究院 上海201203
利用静电仪和hbm模型研究了GaN基LED外延片上芯片的抗静电性能,并根据pn结势垒电容的特性,对实验结果进行了分析。实验结果表明,缺陷击穿与外延片的工艺有着密切的关系;随着外延片上芯片尺寸的增大,其抗静电能力也随之增强。
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
LED结构抗静电性能的研究
LED结构抗静电性能的研究
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作者： 张丽超 长春理工大学
学位级别：硕士
目前LED广泛应用于医疗、车载、显示等领域,但应用过程中LED失效现象偏多,而失效很多情况下来自于静电,因此,本文针对此现象对LED进行了抗静电能力测试,根据测试结果对其进行研究,分析其内在失效机理。本文分析了LED在测试过程中施加正... 详细信息
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