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W波段宽带机调gunn振荡器

电子学报 1989年第4期17卷 101-103页

作者：王子宇阮成礼曹康白电子科技大学

本文介绍了一种宽带机调gunn振荡器。该振荡器结构简单可靠,单只振荡器就几乎可覆盖整个W波段,振荡器的最大输出功率可达25mw,在所有各频率点上的电调带宽约为450MHz。

关键词：振荡器 gunn W波段宽带

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gunn谐波振荡器基波注入锁定分析

东南大学学报（自然科学版） 1991年第5期21卷 95-102页

作者：陈宁东南大学无线电工程系

本文根据器件的半导体物理特性,数值计算了gunn器件的谐波大信号等效导纳,在此基础上建立了谐波工作状态下gunn器件的大信号数学模型,运用此模型,研究了毫米波gunn谐波振荡器的基波注入锁定,推导出锁定带宽表示式。理论计算表明,随着墓... 详细信息

本文根据器件的半导体物理特性,数值计算了gunn器件的谐波大信号等效导纳,在此基础上建立了谐波工作状态下gunn器件的大信号数学模型,运用此模型,研究了毫米波gunn谐波振荡器的基波注入锁定,推导出锁定带宽表示式。理论计算表明,随着墓波注入功率的增大,锁定带宽增加并出现饱和现象。在V波段进行的实验证明理论分析与实验一致。

关键词：振荡器注入锁定谐波毫米波 gunn

异体巩膜悬吊术治疗Marcus　gunn综合症

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中国实用眼科杂志 1994年第2期12卷 119-120页

作者：颜建华广东省佛山市第二人民医院眼科

异体巩膜悬吊术治疗ＭａｒｃｕｓＧｕｎｎ综合症广东省佛山市第二人民医院眼科颜建华患者女１１岁自幼发现患儿咀嚼时右眼皮跳动，伴右脸裂缩小。身体既往健康，无眼部外伤史。第一胎足月顺产，母亲妊娠期无用药及病毒感染史，父母非近... 详细信息

异体巩膜悬吊术治疗ＭａｒｃｕｓＧｕｎｎ综合症广东省佛山市第二人民医院眼科颜建华患者女１１岁自幼发现患儿咀嚼时右眼皮跳动，伴右脸裂缩小。身体既往健康，无眼部外伤史。第一胎足月顺产，母亲妊娠期无用药及病毒感染史，父母非近亲联姻，无家族史。全身体格检查正常...

关键词：异体巩膜瞬目上睑下垂悬吊术 gunn Marcus 提上睑肌缩短

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Marcus—gunn综合征一家系

中国实用眼科杂志 1993年第2期 52-53页

作者：孙亚琴刘德成空军郑州医院五官科

Marcus-gunn综合症1家系遗传性病例报道很少,我们见到1家系中3代4人患本病,报告如下。例1先证者女性18岁汉族未婚河南信阳县农民于91年12月21日来我科就诊,主诉自幼右眼睁不大,上睑随下颌活动而上抬。随着年龄的增长又发现两眼不能同时... 详细信息

Marcus-gunn综合症1家系遗传性病例报道很少,我们见到1家系中3代4人患本病,报告如下。例1先证者女性18岁汉族未婚河南信阳县农民于91年12月21日来我科就诊,主诉自幼右眼睁不大,上睑随下颌活动而上抬。随着年龄的增长又发现两眼不能同时注视前方,张口、咀嚼和下颌向下垂时,右上睑跳跃式抬高,无复视。患者系第8胎,足月顺产。父母近亲结婚,外祖父、三哥和四哥有同样眼病(图)。

关键词：上睑悬吊术异体巩膜瓣内斜视 gunn Marcus

gunn器件中掺杂梯度引起的静止畴的计算机模拟

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Journal of Semiconductors 1980年第3期 204-219页

作者：王守武潘国雄王重云中国科学院半导体研究所

本文对gunn 器件中掺杂梯度引起的静止畴进行计算机模拟.在器件的阳极端的掺杂存在一定的递增梯度的情况下,静止畴可能有两种产生方式:当扩散系数为常数时,畴在阴极形成,朝阳极渡越,最后静止于阳极,即渡越式的静止畴;当扩散系数与电场... 详细信息

本文对gunn 器件中掺杂梯度引起的静止畴进行计算机模拟.在器件的阳极端的掺杂存在一定的递增梯度的情况下,静止畴可能有两种产生方式:当扩散系数为常数时,畴在阴极形成,朝阳极渡越,最后静止于阳极,即渡越式的静止畴;当扩散系数与电场有某种一定的依赖关系时,畴可能在阳极成核、生长并静止于阳极,即非渡越式的静止畴.两者都导致一静态负阻特性,但电流波形不同. 从计算中归纳出掺杂梯度引起的静止畴的普遍特征:a)在靠近阳极一侧边缘处的扩散速度等于或大于漂移速度的二分之一,b)畴区内电子浓度分布趋于平坦. 计算中发现,当偏置电压高达一定值时,静止畴将转变为渡越畴.分析了这种转变的原因.并得出转变电压与均匀掺杂区的杂质浓度,阳极端的掺杂梯度及阴极端的凹口大小有关.

关键词：器件阳极高场畴 gunn 计算机模拟计算机仿真

gunn器件中畴的静止-渡越-静止模式的实验观察和计算机模拟

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Journal of Semiconductors 1983年第4期9卷 321-333页

作者：王守武郑一阳郗小林张进昌中国科学院半导体研究所

本文讨论在GaAs n^+-n-n^+夹层结构的Cunn器件中畴的静止-渡越-静止模式,进行了实验观察和计算机模拟,指出在超过阈值的偏置电压下,当畴的耗尽层进入阳极附近的高掺杂区后,会逐渐停止下来形成准静态畴,这时畴外电场达到最大值.如果这时... 详细信息

本文讨论在GaAs n^+-n-n^+夹层结构的Cunn器件中畴的静止-渡越-静止模式,进行了实验观察和计算机模拟,指出在超过阈值的偏置电压下,当畴的耗尽层进入阳极附近的高掺杂区后,会逐渐停止下来形成准静态畴,这时畴外电场达到最大值.如果这时阴极凹口仍不能形成新畴,则准静态畴将进一步调整成为真正的静止畴,而畴外电场也将由最大值下降到一个与偏压无关的固定值.经过理论分析,得到了静止畴所固有的与外加偏压无关的畴外电场与有源区掺杂浓度的关系式,并和计算机模拟的结果相比较,得到很好的符合.如果偏压的增加使准静态畴所对应的畴外电场最大值已经足够使阴极凹口形成新的畴,则静止畴将转变为渡越畴.如果偏压继续增加,使积累层尾部覆盖了阴极凹口,则畴会再次静止下来,直到偏压增加到畴发生雪崩为止.计算和实验表明,后一个静止区的电压变化范围要比前一个大得多.本文还讨论了两个转变电压和温度的关系及扩散系数对静止畴的影响.

关键词： The transformations between stationary and transit domains in a gunn device which has n^+-n-n^+ sandwich structure with doping gradient near the anode are investigated.Experimental observation computer simulation carried out.When th

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gunn振荡器的设计

火控雷达技术 1988年第3期 28-32页

作者：方静

本文介绍了一种gunn振荡器的简化设计方法,采用膜片匹配,柱耦合结构。根据传输线理论对腔内的场分布进行了等效,最终得出简化设计公式,并且给出了一个3cmgunn振荡器的设计实例,实验结果证明,这种方法是可行的。

关键词：振荡器电子设备 gunn 电纳

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平面gunn器件中的雪崩弛豫振荡

中国科学:数学 1975年第6期 577-583页

作者：王守武郑一阳刘朝中

为了寻找一个高效率的固体振荡器,我们研究了gunn二极管中的雪崩弛豫振荡。本文描述有源区比较短的平面gunn器件,在数倍于阚值的强场下工作时出现的雪崩弛豫振荡,这种振荡现象归结于畴雪崩后的电子空穴对的周期性出现和消失。它的振幅... 详细信息

为了寻找一个高效率的固体振荡器,我们研究了gunn二极管中的雪崩弛豫振荡。本文描述有源区比较短的平面gunn器件,在数倍于阚值的强场下工作时出现的雪崩弛豫振荡,这种振荡现象归结于畴雪崩后的电子空穴对的周期性出现和消失。它的振幅可以比gunn振荡大得多,而频率比gunn振荡小几倍,并且受外电路参数影响很大,在负载匹配好的情况下,粗略地测得总效率可达36％。

关键词：弛豫振荡 gunn 雪崩器件

Concerning the maximum frequency limits of gunn operators

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太赫兹科学与电子信息学报 2015年第3期13卷 389-395页

作者： R F Macpherson G M Dunn Ata Khalid D R S Cumming Department of Physics University of Aberdeen School of Engineering University of Glasgow

The length of the transit region of a gunn diode determines the natural frequency at which it operates in fundamental mode-the shorter the device,the higher the frequency of *** long-held view on gunn diode design is that for a functioning device the minimum length of the transit region is about 1.5μm,limiting the devices to fundamental mode operation at frequencies of roughly 60 *** authors posit that this theoretical restriction is a consequence of limits of the hydrodynamic models by which it was *** of these devices by more advanced Monte Carlo techniques,which simulate the ballistic transport and electron-phonon interactions that govern device behaviour,offers a new lower bound of 0.5μm,which is already being approached by the experimental evidence shown in planar and vertical devices exhibiting gunn operation at 0.6μm and 0.7μ*** is shown that the limits for gunn domain operation are determined by the device length required for the transferred electron effect to occur(approximately 0.15μm,which as demonstrated is largely field independent)and the fundamental size of the domain(approximately 0.3μm).At this new length,operation in fundamental mode at much higher frequencies becomes possible-the Monte Carlo model used predicts power output at frequencies over 300 GHz.

关键词： gunn diode Monte Carlo theoretical limits Ga N