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growth of β-Ga_2O_3 Films on Sapphire by Hydride Vapor Phase Epitaxy
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Chinese Physics Letters 2018年 第5期35卷 141-143页
作者： 熊泽宁 修向前 李悦文 华雪梅 谢自力 陈鹏 刘斌 韩平 张荣 郑有炓 Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials School of Electronic Science and EngineeringNanjing University
Two-inch Ga_2O_3 films with（ˉ201）-orientation are grown on c-sapphire at 850–1050°C by hydride vapor phase epitaxy. High-resolution x-ray diffraction shows that pure β-Ga_2O_3 with a smooth surface has a higher ... 详细信息
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