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Investigation of strain effect on the hole mobility in goi tri-gate pFETs including quantum confinement

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Chinese Physics B 2014年第10期23卷 593-596页

作者：秦洁宇杜刚刘晓彦 Shenzhen Graduate School Peking University Institute of Microelectronics Peking University

The strain impact on hole mobility in the goi tri-gate pFETs is investigated by simulating the strained Ge with quantum confinement from band structure to electro-static distribution as well as the effective mobility. Lattice mismatch strain induced by HfO2 warps and reshapes the valence subbands, and reduces the hole effective masses. The maximum value of hole density is observed near the top comers of the channel. The hole density is decreased by the lattice mismatch strain. The phonon scattering rate is degraded by strain, which results in higher hole mobility.

关键词： strain quantum effect tri-gate goi

用smart-cut方法制备goi材料及研究

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功能材料与器件学报 2007年第3期13卷 207-212页

作者：詹达马小波刘卫丽朱鸣宋志棠中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术研究室&半导体功能薄膜工程技术研究中心新加坡国立大学硅纳米器件研究室新加坡117565

研究了氢离子注入后锗表面的剥离情况,观察发现其表面剥离的情况与Si相比有明显不同,H+注入后形成的微气泡层并没有导致Ge表面形成类似砂眼的凹坑,而是整个表层薄膜受H+膨胀压力导致其全部脱落。利用特殊的Ge的清洗工艺,完成了注H+的Ge... 详细信息

研究了氢离子注入后锗表面的剥离情况,观察发现其表面剥离的情况与Si相比有明显不同,H+注入后形成的微气泡层并没有导致Ge表面形成类似砂眼的凹坑,而是整个表层薄膜受H+膨胀压力导致其全部脱落。利用特殊的Ge的清洗工艺,完成了注H+的Ge片与热生长SiO2片的键合,通过热处理完成SiO2上的Ge薄膜转移,形成了goi(Germanium-on-insulator)结构。采用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、以及X射线四晶衍射对goi的微结构进行了表征和分析。研究表明,获得的goi中顶层Ge具有较好的晶体质量,锗和二氧化硅埋层界面陡直。

关键词： goi smart—cut 键合

浦东goi扩容，用开放赋能本土创新 004

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巴西gois goinia地区人群发生于下肢的皮肤鳞状细胞癌

文汇报

作者：唐玮婕

大型邮轮创新中心、杜邦上海创新中心、科思创开放创新中心、华为5G数字影视国际创新中心……新一批重磅企业昨天宣布加入浦东新区“大企业开放创新中心计划”（goi），发挥大企业创新资源和全球创新网络优势，构建“政产学研金服用”... 详细信息

大型邮轮创新中心、杜邦上海创新中心、科思创开放创新中心、华为5G数字影视国际创新中心……新一批重磅企业昨天宣布加入浦东新区“大企业开放创新中心计划”（goi），发挥大企业创新资源和全球创新网络优势，构建“政产学研金服用”七位一体协同创新体系。至此，浦东新区

关键词：开放创新 goi 本土创新

来源： cnki报纸评论

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世界核心医学期刊文摘（皮肤病学分册） 2006年第12期2卷 23-页

作者： Quinteiro Ribeiro A.M. Curado M.P Benevides Santana Filho J. 董平 The Cancer Association of gois Rua T65 700 105-B St Bueno 74.230-120 Goinia GO Brazil Dr.

Background: Cutaneous squamous cell carcinoma is a common malignant neoplasm that affects areas that are exposed to the sun in fair-skinned people. It occurs less frequently on the lower limbs where other etiological factors are involved. Objective: To determine the epidemiological aspects of cutaneous squamous cell carcinoma of the lower limbs in goinia. Methodology: Forty-three cases of cutaneous squamous cell carcinoma of the lower limbs from the Cancer Registry of the Population Base of gois, for the period between 1995 and 1999, were included in the study. Results: Among the cases of cutaneous squamous cell carcinoma registered in this 5-year interval, 43 (4.6%) represented cases affecting the lower limbs. Of these individuals, seven (16.3%)were male and 36 (83.7%)-female (P < 0.001). Those in the age group of 60 years and above represented 90.7%of the cases (P < 0.001). None of the patients had metastasis. Conclusion: Cutaneous squamous cell carcinomas on the lower limbs are more frequently seen in women older than 60 years of age, and they rarely metastasize.

关键词：皮肤鳞状细胞癌 s goi 患者 goi nia 下肢四肢

goiNG LONGER Beijing Pysch Rockers Chui Wan TakeTheir ComplexThird Album on a World Tour

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城市漫步（上海版、英文） 2017年第9期 40-41页

作者： Erica Martin 不详

Quintessential American composer Robert Ashley once famously said,"Popular music always ends after three minutes."Chui Wan vocalist Yan Yulong points this out slyly before explaining the extended length of all the songs on the celebrated band's intriguing third album,The Landscape the Tropics Never Had."In doing this album,we did not want to do a'concept album'or an album with a unified‘theme,'"he says."But these six songs have one thing in common:longer *** the rehearsal room,we wanted to take a song's first idea and develop it as much as possible."

关键词： goi Popular Complex

goiNG LONGER Leading Beijing Rockers Chui Wan Take Their ComplexThird Album on a World Tour

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城市漫步（GBA版） 2017年第9期 34-34页

作者： Erica Martin 不详

Quintessential American composer Robert Ashley once famously said,"Popular music always ends after three minutes."Chui Wan vocalist Yan Yulong points this out slyly before explaining the extended length of all the songs on the celebrated band's intriguing third album,The Landscape the Tropics Never Had."In doing this album,we did not want to do a‘concept album'or an album with a unified'theme,'"he explains."But these six songs have one thing in common:longer *** the rehearsal room,we wanted to take a song's first idea and develop it as much as possible."

关键词： goi Popular Complex

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对石油包裹体研究和应用的几点认识

矿物岩石地球化学通报 2006年第1期25卷 29-32页

作者：孙玉梅中海石油(中国)有限公司研究中心河北高碑店市074000

本文总结了对石油包裹体研究和应用的几点认识,包括流体包裹体岩相分析、显微温度分析、油包裹体丰度统计和原始样品采集及制备。强调流体包裹体岩相分析是直观而有效的分析技术,其结果可以提供油气是否运移、运移期次、相对早晚及每一... 详细信息

本文总结了对石油包裹体研究和应用的几点认识,包括流体包裹体岩相分析、显微温度分析、油包裹体丰度统计和原始样品采集及制备。强调流体包裹体岩相分析是直观而有效的分析技术,其结果可以提供油气是否运移、运移期次、相对早晚及每一期相对数量和油气大致特征等资料,也是其他有关包裹体研究的基础。显微温度测试必须以油气包裹体鉴定为基础,单纯应用均一温度划分油气运移期次是不合适的。油包裹体丰度是确定古油藏的重要参数,统计结果受多种因素影响。石油包裹体分析是研究性较强的方法,研究人员参与到分析鉴定工作中方能取得较好的研究成果。

关键词：石油包裹体包裹体岩相均一温度 goi 油气成藏

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含油包裹体丰度指数确定油气运聚范围及应用

西南石油学院学报 2006年第5期28卷 15-18页

作者：姜福杰姜振学庞雄奇田丰华中国石油大学盆地与油藏研究中心

goi(含油流体包裹体丰度指标)是流体包裹体丰富程度的一种指标,其大小决定于储层或圈闭内流体的充注程度;其值及属性变化可以反映出油气的充注历史。利用这一属性,对于一个研究区而言,进行系统的goi取样和测定,可以确定出该区的油气运... 详细信息

goi(含油流体包裹体丰度指标)是流体包裹体丰富程度的一种指标,其大小决定于储层或圈闭内流体的充注程度;其值及属性变化可以反映出油气的充注历史。利用这一属性,对于一个研究区而言,进行系统的goi取样和测定,可以确定出该区的油气运聚的平面和剖面最大范围。阐述了goi的定义、确定油气运聚范围基本原理、判别标准及操作方法,在松辽盆地滨北地区的应用结果表明,滨北地区浅部储盖组合油气运聚范围平面上主要集中在靠近滨洲铁路线20000km2的范围内,剖面上主要集中分布在1500m^2000m的深度范围内。通过油气显示方法和源控油气藏分布规律方法进行验证,证明该方法行之有效。

关键词： goi 流体包裹体运聚范围松辽盆地滨北地区

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氮离子注入对栅氧化层TDDB可靠性的影响

氮离子注入对栅氧化层TDDB可靠性的影响

作者：冯军宏复旦大学

学位级别：硕士

随着技术的不断发展,为了满足器件性能的要求,超大规模集成电路(ULSI)的栅氧化层的厚度不断的减薄,由20-30nm降至几个纳米。然而,满足器件性能要求的工作电压却不能不断下降,目前降低至1.0V已经到了瓶颈。因此,单位厚度的栅氧化层在工... 详细信息

随着技术的不断发展,为了满足器件性能的要求,超大规模集成电路(ULSI)的栅氧化层的厚度不断的减薄,由20-30nm降至几个纳米。然而,满足器件性能要求的工作电压却不能不断下降,目前降低至1.0V已经到了瓶颈。因此,单位厚度的栅氧化层在工作时承受的电场强度越来越高,使栅氧化层的可靠性成为一个突出的问题和挑战。栅氧抗电性能不好将引起MOS器件电参数的不稳定,如阈值电压的漂移,跨导下降、漏电流增加等,进一步可引起栅氧的击穿,导致器件的失效,使整个集成电路陷入瘫痪状态。因此,提高栅氧化膜的抗击穿可靠性,包括与时间有关的击穿(TDDB)和零时击穿(TZDB),多年来一直是超大规模集成电路可靠性研究领域关注的热点,也是限制集成度提高的重要原因。氮的离子注入经常用于提高器件性能和减少栅氧化层的漏电流,增加栅氧化层的k值,但却很少有研究专注于氮的离子注入对于TDDB的影响。本文将重点研究和分析氮在栅中的离子注入对TDDB可靠性的影响及机理。目前在学术界,对于TDDB可靠性失效的机理认同的主要有阳级氢离子释放模型(hHR)和阳极空穴注入模型(HHI)[3。本文将对TDDB可靠性对于这两种失效机理的测试方法和具体模型作详细介绍。通过研究发现,氮在栅氧化层中的离子注入可以提高N型场效应晶体管的TDDB可靠性,相应的,栅氧化层的漏电流在持续的偏压作用下也逐渐减少,并且,其减少的趋势与程度高于没有氮离子注入的栅氧化层,并且其漏电流减小的程度随着氮在栅中离子注入的能量变高而变的明显。通过进一步研究发现,氮在栅氧化层中注入提高TDDB可靠性的机理主要是因为氮在栅中扩散到栅氧化层的界面并增加了电子陷阱态数量,并且,在实验中,进一步确定了电子陷阱态密度会随着氮在栅中注入的能量的增加而增加。在这些电子陷阱态得作用下,在持续的偏压作用下的栅极氧化层中通过的的漏电流不断的减小,最终增加了TDDB的击穿时间。

关键词：栅氧可靠性 goi TDDB 氮离子注入