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亚稳定型合金（GaAs）1-x（ge2）x带间跃迁能量E1的椭圆偏振谱研究

红外与毫米波学报 1987年第6期6卷 419-424页

作者：薛大中,Paul M.Raccah,L.L.Abels 天津市技术物理研究所 Physics Department University of Illinois at Chicago U.S.A. Physics Department University of Illinois at Chicago U.S.A.

用自动椭圆偏振谱方法研究亚稳定型合金（GaAs）1-x（ge2）x带间跃迁能量E1的曲线特征,得到E1的线性特征与E0完全一样,呈现非抛物线特征。我们认为这是由于ge与Ga和As原子相互作用造成ge电荷分布的变化引起的,这一结论对闪锌矿结构和金... 详细信息

用自动椭圆偏振谱方法研究亚稳定型合金（GaAs）1-x（ge2）x带间跃迁能量E1的曲线特征,得到E1的线性特征与E0完全一样,呈现非抛物线特征。我们认为这是由于ge与Ga和As原子相互作用造成ge电荷分布的变化引起的,这一结论对闪锌矿结构和金刚石结构都是正确的。

关键词：带间跃迁组份 E1 ge2 GaAs 椭圆偏振

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亚稳半导体（GaAs）1-x（ge2）x的能带结构

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Journal of Semiconductors 1987年第4期 356-361页

作者：徐至中复旦大学现代物理所

根据Kim及Stern由计算机模拟方法计算得到的亚稳半导体（GaAs）1-x（ge2）x在（100）面层状生长条件下的序参数s与组分x间的关系,并考虑到在任何组分的情况下,亚稳半导体始终保持短程有序,采用经验的紧束缚方法以及推广的虚晶近似,计算... 详细信息

根据Kim及Stern由计算机模拟方法计算得到的亚稳半导体（GaAs）1-x（ge2）x在（100）面层状生长条件下的序参数s与组分x间的关系,并考虑到在任何组分的情况下,亚稳半导体始终保持短程有序,采用经验的紧束缚方法以及推广的虚晶近似,计算了亚稳半导体（GaAs）1-x（ge2）x的直接能隙与组分x间的变化关系.并把计算结果与实验及以前的理论模型进行了比较与讨论.

关键词：短程有序序参数生长条件最近邻键合 ge2 紧束缚方法 GaAs 能带结构电子能态

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单晶体亚稳定型合金（GaAs）1-x（ge2）x的喇曼散射谱

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红外研究 1984年第4期 262-262页

作者：薛大中天津市技术物理研究所

本文报告激光激发喇曼散射研究（GaAs）1-x（ge2）x的实验方法和实验结果。实验中采用的样品是在450～550℃衬底温度条件下,使用超高真空离子束溅射沉积方法获得的（GaAs）1-x（ge2）x单晶体亚稳定型合金,0≤x≤1。衬底材料为[100]方向G... 详细信息

本文报告激光激发喇曼散射研究（GaAs）1-x（ge2）x的实验方法和实验结果。实验中采用的样品是在450～550℃衬底温度条件下,使用超高真空离子束溅射沉积方法获得的（GaAs）1-x（ge2）x单晶体亚稳定型合金,0≤x≤1。衬底材料为[100]方向GaAs。本实验中使用可见光（波长5145（?））氩离子激光束,沿布鲁斯特角方向入射,经过样品

关键词：单晶体亚稳定型 ge2 GaAs 喇曼散射

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ge_2Sb_2Te_5晶体结构的第一性原理模拟

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北京工业大学学报 2015年第1期41卷 137-141,148页

作者：刘富荣韩欣欣白楠范振坤朱赞北京工业大学激光工程研究院北京100124

基于密度泛函理论,采用CASTEP软件对ge2Sb2Te5亚稳态晶体进行结构优化,并比较了局部密度泛函LDA CA-PZ和广义梯度近似GGA PBE两种不同电子交换关联函数对模型晶体结构、能带、态密度、分波态密度、布居数等相关性质的影响,获得ge2Sb2Te... 详细信息

基于密度泛函理论,采用CASTEP软件对ge2Sb2Te5亚稳态晶体进行结构优化,并比较了局部密度泛函LDA CA-PZ和广义梯度近似GGA PBE两种不同电子交换关联函数对模型晶体结构、能带、态密度、分波态密度、布居数等相关性质的影响,获得ge2Sb2Te5亚稳态晶体结构的性质.研究发现,电子交互关联函数采用局部密度泛函LDA CA-PZ时计算体系的总能量更低,具有更好的稳定性,但该优化使晶格常数缩小,而采用广义梯度近似GGA PBE方法对GST材料的晶胞结构进行模拟获得的结果与实验结果较为吻合.亚稳态ge2Sb2Te5的能带没有带隙,呈现典型的金属性,而对材料性质影响最大的是Te原子.

关键词：相变 ge2 Sb2 Te5 第一性原理密度泛函

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