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Effect of ge–geo_2 co-doping on non-ohmic behaviour of TiO_2–V_2O_5–Y_2O_3 varistor ceramics

Journal of Semiconductors 2015年第7期36卷 39-44页

作者：康昆勇甘国友严继康易建宏张家敏杜景红赵文超荣雪全 Faculty of Materials Science and Engineering Kunming University of Science and Technology Key Laboratory of Advance Materials of Yunnan Province Key Laboratory of Advance Materials of Precious-Nonferrous Metals Ministry of Education

An investigation was made into the effect of doping with the elemental crystal ge or/and geo2 on the TiO2-V2O5-Y2O3 varistor ceramics. The result shows that as the doping contents of V2O5 and Y2O3 are 0.5 tool%, respectively, co-doping with 0.3 mol% ge and 0.9 mol% geo2 makes the highest α value （α = 12.8）, the lowest breakdown voltage Vlmg （VlmA = 15.8 V/ram） and the highest grain boundary barrier ФB （ФB = 1.48 eV）, which is remarkably superior to the TiO2-V2Os-Y203 varistor ceramics undoped with ge and geo2 and mono-doped with ge or geo2. The TiO2-V2Os-YEO3-ge-geo2 ceramic has the prospect of becoming a novel varistor ceramic with excellent electrical properties.

关键词： TiO2 varistor co-doping nonlinear coefficient breakdown voltage ge and geo2

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