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An emerging quaternary semiconductor nanoribbon with gate-tunable anisotropic conductance

Science Bulletin 2024年第20期69卷 3228-3236页

作者： Shaolong Jiang Fuchen Hou Shengfeng Zeng Yubo Zhang Erding Zhao Yilin Sun Liyun Zhao Cheng Zhang Mengyuan Jia Jun-Feng Dai Mingyuan Huang Qing Zhang Xiaolong Zou Yanfeng Zhang Junhao Lin Department of Physics Southern University of Science and TechnologyShenzhen 518055China Quantum Science Center of Guangdong-Hong Kong-Macao Greater Bay Area(Guangdong) Shenzhen 518045China Shenzhen Geim Graphene Center Institue of Materials ResearchTsinghua Shenzhen International Graduate SchoolTsinghua UniversityShenzhen 518055China Minjiang Collaborative Center for Theoretical Physics College of Physics and Electronic Information EngineeringMinjiang UniversityFuzhou 350108China School of Integrated Circuits and Electronics Beijing Institute of TechnologyBeijing 100081China School of Materials Science and Engineering Peking UniversityBeijing 100871China Shenzhen Institute for Quantum Science and Engineering Southern University of Science and TechnologyShenzhen 518055China

Two-dimensional noble transition metal chalcogenide(NTMC)semiconductors represent compelling building blocks for fabricating flexible electronic and optoelectronic *** binary and ternary compounds have been reported,the existence of quaternary NTMCs with a greater elemental degree of freedom remains largely *** study presents the pioneering experimental realization of a novel semiconducting quaternary NTMC material,AuPdNaS_(2),synthesized directly on Au foils through chemical vapor *** ribbon-shaped morphology of the AuPdNaS_(2)crystal can be finely tuned to a thickness as low as 9.2 *** transmission electron microscopy reveals the atomic arrangement,showcasing robust anisotropic features;thus,AuPdNaS_(2)exhibits distinct anisotropic phonon vibrations and electrical *** field-effect transistor constructed from AuPdNaS_(2)crystal demonstrates a pronounced anisotropic conductance(σ_(max)/σ_(min)=3.20)under gate voltage *** investigation significantly expands the repertoire of NTMC materials and underscores the potential applications of AuPdNaS_(2)in nano-electronic devices.

关键词： AuPdNaS_(2) Chemical vapor deposition gate tenability Anisotropic conductance

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