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x-band Algan/gan HEMTs with high microwave power performance

Science China(Physics,Mechanics & Astronomy) 2011年第3期54卷 442-445页

作者： PENG MingZeng ZHENG YingKui WEI Ke CHEN xiaoJuan LIU xinYu Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology Institute of Microelectronics Chinese Academy of Sciences Beijing 100029 China

An x-band Algan/gan high-electron-mobility transistor (HEMT) on SiC substrate with high microwave power performances has been achieved. Its small-signal characteristics with a gate-length of 0.4 μm showed a unity current gain cut-off frequency (fT) of 22 GHz and a maximum oscillation frequency (fmax) of 65 GHz. The gan HEMT device with a gate width of 1 mm exhibited a continuous-wave saturated output power of 10.2 W and a linear gain of 14.8 dB at 8 GHz, and successfully achieved the power-added efficiency (PAE) as high as 69.2%, which is very suitable for x-band power applications.

关键词： gan high-electron-mobility transistor x-band power-added efficiency

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