检索结果-南通市图书馆

微电子学 2024年第3期54卷 432-436页

作者：杨潇雨杨曼琳吴昊王妍汪紫薇蒲阳集成电路与微系统全国重点实验室重庆400060

针对汽车电子高性能gan驱动芯片需求,为解决gan器件栅极存在低压误开、高共模瞬态、抗干扰能力差等问题,提出了一种低温度系数、低功耗、高回差电压、具有双重比较的欠压保护电路。该电路采用双重比较参考电路,设置合理的比较电压,增大... 详细信息

针对汽车电子高性能gan驱动芯片需求,为解决gan器件栅极存在低压误开、高共模瞬态、抗干扰能力差等问题,提出了一种低温度系数、低功耗、高回差电压、具有双重比较的欠压保护电路。该电路采用双重比较参考电路,设置合理的比较电压,增大电路回差电压,极大提高了电路的抗干扰能力。电源上电至预设电压后,系统解除保护锁定,gan器件通路开启,电源驱动后级gan器件栅极,实现gan器件欠压保护功能,提高稳定性。采用0.18μm BCD工艺进行设计。仿真结果表明,电源上电至8.5 V时,电路解除欠压保护功能,带隙基准电路输出1.5×10^(-5)/℃高精度5 V电压至gan驱动电路栅端。电源下电至8 V时,电路启动欠压保护功能,芯片系统关断,实现gan器件保护功能。回差电压为0.5 V,静态电流为60μA。该欠压保护电路满足低温度系数、低功耗、高回差电压等要求。

关键词： gan驱动电路欠压保护电路低压误开双重比较

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