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simulation analysis of a high efficiency gainp/si multijunction solar cell

Journal of Semiconductors 2020年第3期41卷 54-58页

作者： M.Benaicha L.Dehimi F.Pezzimenti F.Bouzid Laboratory of Metallic and Semiconductor Materials University of BiskraBiskra 07000Algeria Faculty of Science University of BatnaBatna 05000Algeria DIIES-Mediterranea University of Reggio Calabria Reggio Calabria 89122Italy UDCMA-Research Center in Industrial Technologies Algiers 16014Algeria

The solar power conversion efficiency of a gallium indium phosphide(gainp)/silicon(si)tandem solar cell has been investigated by means of a physical device simulator considering both mechanically stacked and monolithic *** particular,to interconnect the bottom and top sub-cells of the monolithic tandem,a gallium arsenide(GaAs)-based tunnel-junction,***(n+)/GaAs(p+),which assures a low electrical resistance and an optically low-loss connection,has been *** J–V characteristics of the single junction cells,monolithic tandem,and mechanically stacked structure have been calculated extracting the main photovoltaic *** analysis of the tunnel-junction behaviour has been also *** mechanically stacked cell achieves an efficiency of 24.27%whereas the monolithic tandem reaches an efficiency of 31.11%under AM1.5 spectral *** quantum efficiency simulations have evaluated the useful wavelength *** results and discussion could be helpful in designing high efficiency monolithic multijunction gainp/si solar cells involving a thin GaAs(n+)/GaAs(p+)tunnel junction.

关键词： gainp/si tandem solar cells power efficiency numerical simulations

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