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InP衬底上制备gainasP/gainas双结太阳电池的研究

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电源技术 2024年第7期48卷 1375-1379页

作者：张恒刘如彬张启明孙强中国电子科技集团公司第十八研究所天津300384

基于InP衬底的gainasP/gainas太阳电池是制备五至六结叠层太阳电池必需的低带隙子电池。采用MOCVD制备了与InP衬底晶格匹配的Ga_(0.47)In_(0.53)As三元材料和Ga_(0.16)In_(0.84)As_(0.3)P_(0.7)四元材料,禁带宽度分别为0.77和1.11 eV,它们都具有较高的晶体质量。以此为有源层制备了gainasP/gainas双结叠层太阳电池,该双结太阳电池的开路电压为1.09V,光电转换效率为11.2%(AM0,25℃)。

关键词： InP gainasP gainas 太阳电池 MOCVD

Metamorphic AlInAs/gainas HEMTs on silicon substrates by MOCVD

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Science China(Physics,Mechanics & Astronomy) 2011年第10期54卷 1815-1818页

作者： LI HaiOu HUANG Wei LI SiMin TANG ChakWah LAU KeiMay Information and Communication College Guilin University of Electronic Technology Guilin 541004 China Department of Electronics and Computer Engineering Hong Kong University of Science and Technology 58th Research Institute China Electronics Technology Group Corporation Wuxi 214061 China

Metamorphic Al0.50In0.50As/Ga0.47In0.53As high electron mobility transistors (mHEMTs) grown by Metal Organic ChemicalVapor Deposition (MOCVD) on n-type silicon substrates with introduction of a novel multi-stage buffering stack scheme havebeen fabricated for the first time. 1.0- m-gate-length depletion-mode mHEMTs with maximum transconductance up to 613mS/mm are achieved. The unity current gain cut-off frequency (fT) and the maximum oscillation frequency (fmax) are 36.9 and55.6 GHz, respectively. This device has the highest fTyet reported for 1.0- m-gate-length HEMTs grown on silicon byMOCVD. Also, this performance is comparable to that of similar GaAs-based mHEMTs. These are encouraging initial resultsleading to the manufacturing potential of integrated high-speed metamorphic devices for logic applications on silicon sub-strates by MOCVD.

关键词： HEMT器件 MOCVD gainas 硅衬底变质高电子迁移率晶体管最高振荡频率金属有机

Fabrication of 0.3-m T-gate metamorphic AlInAs/gainas HEMTs on silicon substrates using metal organic chemical vapor deposition

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Science China(Physics,Mechanics & Astronomy) 2012年第4期55卷 644-648页

作者： TANG ChakWah LAU KeiMay Department of Electronics and Computer Engineering Hong Kong University of Science and Technology

We present an InGaAs metamorphic high electron mobility transistor(mHEMT) grown using Metalorganic Chemical Vapor Deposition(MOCVD) on an n-type silicon substrate with the introduction of an effective multi-stage buffering *** and performance of a high-frequency 0.3-m gate-length depletion-mode Al 0.50 In 0.50 As/Ga 0.47 In 0.53 As mHEMT is reported for the first *** a combined optical and e-beam photolithography technology,submicron mHEMT devices on Si have been *** non-alloyed ohmic contact resistance R c was as low as 0.065-mm.A maximum transconductance up to 761 mS/mm was *** unity current gain cut-off frequency(fT) and the maximum oscillation frequency(fmax) were 72.8 and 74.5 GHz,*** device has the highest fT yet reported for a 0.3-m gate-length Si-based mHEMT grown using MOCVD.A high voltage gain,g m /g ds,of 40.6 is observed in the device.

关键词：化学气相沉积法 MHEMT 有机金属 gainas 硅衬底变质 MOCVD生长高电子迁移率晶体管

超薄GaInP/gainas/Ge太阳电池研究

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电源技术 2014年第6期38卷 1069-1070,1142页

作者：高伟张宝薛超高鹏王保民中国电子科技集团公司第十八研究所天津300384

通过特殊的MOCVD技术和器件工艺,应用超薄衬底和对正常衬底的减薄两种方法,成功地制作出了80 mm厚的超薄GaInP/gainas/Ge结构的太阳电池。对太阳电池进行了相关的测试,并对实验结果进行了分析和讨论。

关键词： MOCVD技术器件工艺 GaInP gainas Ge太阳电池

用X射线衍射研究缓冲层对gainas材料的影响

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半导体技术 2012年第4期37卷 288-290,325页

作者：焦岗成刘正堂石峰徐晓兵胡仓陆西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室西安710072 微光夜视技术重点实验室西安710065 北方夜视科技集团有限公司昆明650223

用分子束外延方法制备了具有gainas组分渐变缓冲层和不具有gainas组分渐变缓冲层的Ga0.9In0.1As/GaAs结构的外延材料。利用高分辨率X射线衍射法(HRXRD)对制备的两种样品分别进行了测试分析。实验结果表明,gainas组分渐变缓冲层对外延生... 详细信息

用分子束外延方法制备了具有gainas组分渐变缓冲层和不具有gainas组分渐变缓冲层的Ga0.9In0.1As/GaAs结构的外延材料。利用高分辨率X射线衍射法(HRXRD)对制备的两种样品分别进行了测试分析。实验结果表明,gainas组分渐变缓冲层对外延生长在GaAs衬底上的Ga0.9In0.1As外延材料的晶体质量具有显著的改善作用,极大降低了由于外延层与衬底晶格不匹配所带来的影响。从X射线倒易空间衍射(RSM)二维图谱结果来看,具有gainas组分渐变缓冲层结构的样品,其Ga0.9In0.1As外延层与gainas组分渐变缓冲层接近完全弛豫,Ga0.9In0.1As外延层的应变降低,表面残留应力小于0.06%,同时,GaAs衬底与Ga0.9In0.1As外延层之间的偏移夹角明显变小。

关键词： X射线衍射晶格失配 gainas 渐变缓冲层倒易空间衍射

gainas(P)/InP和GaAl(As)/GaSb激光器的损耗:分离带的影响

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半导体光电 1983年第1期 37-38页

作者： A. Mozer 程阜民

gainas（P）/InP和GaAlSb（As）/GaSb是长波长光纤通信中两种十分重要的材料。遗憾的是用这些材料制成的激光器阈值电流对温度的依赖性比GaAs/GaAlAs激光器的大得多（即T;问题）。有人认为,用长波长材料制成激光器的温度对阈值电流的影... 详细信息

gainas（P）/InP和GaAlSb（As）/GaSb是长波长光纤通信中两种十分重要的材料。遗憾的是用这些材料制成的激光器阈值电流对温度的依赖性比GaAs/GaAlAs激光器的大得多（即T;问题）。有人认为,用长波长材料制成激光器的温度对阈值电流的影响,是由于内价带（Intervalence band）吸收和CHSH俄歇复合造成的。如果存在这两种机理,就会导致价带的一定分裂。我们通过直接观察gainasP/InP激光器分离价带中电子与空穴的辐射高能复合,研

关键词：激光器光激射器电子器件 InP gainas GaAl 损耗损失消耗

掩埋异质结gainas／Algainas量子阱激光二极管...

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发光快报 1992年第1期13卷 31-33页

Zn掺杂gainas／InP结构中极强的外延层内部扩散

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发光快报 1995年第5期16卷 42-43页

作者：邸建华

0.35μm栅长的GaAs和gainas HEMT的理论比较

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半导体情报 1991年第2期28卷 30-33,17页

作者： D.H.Park 杨文钊

用GaAs/Al_(0.32)Ga_(0.68)As,In_(0.15)Ga_(0.85)As/Al_(0.15)Ga_(0.85)As和Ga_(0.47)In_(0.53)As/Al_(0.48)In_(0.52)As三种不同材料系统制作了栅长几乎都为0.35μm的HEMT,我们报道了对这三种HEMT性能所做的理论研究结果。采用综合Morite Carlo模型进行计算,该模型包括实空间转移的整个过程:二维电子气输运特性、不稳定输运及由Poisson方程独立解得到的二维电场分布。根据Ⅰ-Ⅴ特性、跨导和截止频率的测试结果,比较了每种器件的性能。采用这种方法可以完全区别材料参数对器件性能的影响,并将它们分别弄清楚。结果表明。

关键词： GaAs gainas HEMT 微波器件