检索结果-南通市图书馆

半导体技术 1988年第4期 33-36页

作者：吴允弘南京电子器件研究所

本文根据国外的经验和数据并结合我国的实践,分析和介绍gaas mmic(毫米波集成电路)和MESFET的生产技术和成品率控制原则.这些情况对我国gaas mmic和MESFET的进一步开展和生产有参考价值.

关键词： mmic MESFET gaas mmic 成品率

gaas mmic和功率MESFET的激光通孔接地技术

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固体电子学研究与进展 1988年第3期 315-316页

作者：戴永胜南京电子器件研究所

众所周知,在微波电路和某些器件中直流接地和微波接地是极为重要的。常用的方法有通孔接地和边缘接地两种。在gaas mmic和功率 MESFET中,由于芯片面积小,要求集成度高,一般均采用这两种方法。通孔接地比边缘接地更优越,它占用芯片面积小... 详细信息

众所周知,在微波电路和某些器件中直流接地和微波接地是极为重要的。常用的方法有通孔接地和边缘接地两种。在gaas mmic和功率 MESFET中,由于芯片面积小,要求集成度高,一般均采用这两种方法。通孔接地比边缘接地更优越,它占用芯片面积小(孔径一般为40μm左右),并给电路布线带来极大的灵活性。低噪声gaas mmic FET放大器管芯源极采用通孔接地,可有效地减小源接地电感和接地线的损耗,从而改善放大器的增益和噪声性能。功率gaas MESFET(尤其是内匹配多胞大功率gaas MESFET)通孔接地除减小源接地电感外,还可降低热阻,从而提高器件性能。

关键词： gaas mmic 通孔激光打孔激光加工 MESFET mmic

gaas mmic收发机已用于WLAN系统中

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半导体技术 1995年第2期 48-48页

作者：付士萍

ＧａＡｓＭＭＩＣ收发机已用于ＷＬＡＮ系统中据报道，美国ＤＡＩＣＯ工业公司开发的Ｐ３５－４７１０１－１单片ＧａＡｓＭＭＩＣ已用作２．４ＧＨｚＷＬＡＮ（无线局部区域网）的收发机。该收发机包括ＶＣＯ、上变频器、下变频器ＬＮ... 详细信息

ＧａＡｓＭＭＩＣ收发机已用于ＷＬＡＮ系统中据报道，美国ＤＡＩＣＯ工业公司开发的Ｐ３５－４７１０１－１单片ＧａＡｓＭＭＩＣ已用作２．４ＧＨｚＷＬＡＮ（无线局部区域网）的收发机。该收发机包括ＶＣＯ、上变频器、下变频器ＬＮＡ、前置放大器和后置放大器、收／发...

关键词：收发机 gaas mmic WLAN

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开发gaas mmic用于数字式无绳电话

固体电子学研究与进展 1993年第4期 379-379页

作者：孙再吉

据日本《Semiconductor World》1993年第8期报道,日本夏普公司开发了1.9GHz数字式无绳电话用的gaas mmic发射和接收组件。发射用的mmic,其芯片尺寸为1.9mm×1.9mm,工作电压为3V,功率附加效率B>40％; 接收用的mmic,其芯片尺寸为1.0mm×1... 详细信息

据日本《Semiconductor World》1993年第8期报道,日本夏普公司开发了1.9GHz数字式无绳电话用的gaas mmic发射和接收组件。发射用的mmic,其芯片尺寸为1.9mm×1.9mm,工作电压为3V,功率附加效率B>40％; 接收用的mmic,其芯片尺寸为1.0mm×1.0mm,功耗为3V,1.8mA,噪声/增益系数为3dB/14dB。该组件可应用于数字式无绳电话和数字式蜂窝电话。

关键词： mmic gaas mmic 无绳电话

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宽带gaas mmic放大器

电子设计工程 2001年第1期 77-77页

电子战系统应用的新型gaas mmic芯片

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电子信息对抗技术 1998年第5期 30-30页

作者：肖

宽带、电扫有源孔径天线用的一套新型砷化锌(gaas)单片微波集成电路(mmic)芯片正在ITT航空电子设备公司向投产方向前进.高功率芯片按组件排列在天线平面后面,使其具备高速波束扫描的能力.ITT航空电子设备公司微波设计的负责人罗·斯基... 详细信息

宽带、电扫有源孔径天线用的一套新型砷化锌(gaas)单片微波集成电路(mmic)芯片正在ITT航空电子设备公司向投产方向前进.高功率芯片按组件排列在天线平面后面,使其具备高速波束扫描的能力.ITT航空电子设备公司微波设计的负责人罗·斯基内勒说:“这些芯片对于缩小今后的电子战系统的体积并降低它们的价格很关键.”芯片类型有:4W和8W的高功率放大器芯片,这种芯片在6～18GHZ频率上提供的功率是早期芯片功率的2.5倍,效率达到

关键词：芯片电子战系统电子对抗系统 mmic gaas mmic

A micromachined inline type microwave power sensor with working state transfer switches

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Journal of Semiconductors 2011年第5期32卷 87-91页

作者：韩磊 Key Laboratory of MEMS of Ministry of Education Southeast University

A wideband 8-12 GHz inline type microwave power sensor, which has both working and non-working states, is presented. The power sensor measures the microwave power coupled from a CPW line by a MEMS membrane. In order to reduce microwave losses during the non-working state, a new structure of working state transfer switches is proposed to realize the two working states. The fabrication of the power sensor with two working states is compatible with the gaas mmic （monolithic microwave integrated circuit） process. The experimental results show that the power sensor has an insertion loss of 0.18 dB during the non-working state and 0.24 dB during the working state at a frequency of 10 GHz. This means that no microwave power has been coupled from the CPW line during the non-working state.

关键词： microwave power sensor micromachined gaas mmic transfer switches

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A novel symmetrical microwave power sensor based on MEMS technology

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Journal of Semiconductors 2009年第5期30卷 50-54页

作者：王德波廖小平 Key Laboratory of MEMS of Ministry of Education Southeast University

A novel symmetrical microwave power sensor based on MEMS technology is presented. In this power sensor, the left section inputs the microwave power, while the fight section inputs the DC power. Because of its symmetrical structure, this power sensor provides more accurate microwave power measurement capability without mismatch uncertainty and temperature drift. The loss caused by the microwave signal is simulated in this power sensor. This power sensor is designed and fabricated using gaas mmic technology. And it is measured in the frequency range up to 20 GHz with an input power in the 0-80 mW range. Over the 80 mW dynamic range, the sensitivity can achieve about 0.2 mV/mW. The difference between the input power in the two sections is below 0.1% for an equal output voltage. In short, the key aspect of this power sensor is that the microwave power measurement is replaced with a DC power measurement.

关键词： symmetrical MEMS gaas mmic power sensor

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大口径射电望远镜相位阵馈源关键技术研究

微波学报 2023年第5期39卷 99-106页

作者：刘海文田洪亮任宝平朱爽爽西安交通大学信息与通信工程学院西安710049 华东交通大学信息工程学院南昌330013

馈源作为射电天文望远镜的关键部件,其性能至关重要。面向新疆奇台QTT 110 m射电望远镜和上海天马65 m射电望远镜相位阵馈源设计需求,本研究团队开展了抗射频干扰的高温超导滤波器、宽带Vivaldi天线阵列和低噪声gaas mmic芯片电路的研... 详细信息

馈源作为射电天文望远镜的关键部件,其性能至关重要。面向新疆奇台QTT 110 m射电望远镜和上海天马65 m射电望远镜相位阵馈源设计需求,本研究团队开展了抗射频干扰的高温超导滤波器、宽带Vivaldi天线阵列和低噪声gaas mmic芯片电路的研究工作。这些新型馈源技术、方案可为我国大口径射电望远镜的设计提供有效的理论与实验基础。

关键词：射电望远镜相位阵馈源高温超导滤波器 Vivaldi天线阵列 gaas mmic

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