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gaas/gaalas单量子阱电光吸收和光调制

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Journal of Semiconductors 1990年第3期11卷 202-209页

作者：朱龙德能飞克王启明陈正豪谢苑林顾世杰中国科学院半导体研究所中国科学院物理研究所

制作并研究了gaas/gaalas分别限制单量子阱台面条形单模波导电致吸收光调制器。量子阱宽度为100A,长度为700μm的器件,当传输光波长为8650A时TE偏振最大调制深度(开关比)为29.7dB,插入损耗吸收分量为3dB;TM偏振最大调制深度为28.5dB。... 详细信息

制作并研究了gaas/gaalas分别限制单量子阱台面条形单模波导电致吸收光调制器。量子阱宽度为100A,长度为700μm的器件,当传输光波长为8650A时TE偏振最大调制深度(开关比)为29.7dB,插入损耗吸收分量为3dB;TM偏振最大调制深度为28.5dB。用2V电压幅度可以得到15dB的开关比。光电导谱的测量表明,偏压从+0.5V变到-7V时吸收边的红移为600A,即量子阱中室温激子的共振吸收峰移动了96meV。单阱高场条件下首次观察到了导带第二能级电子和价带第一能级空穴间激子的共振吸收线的出现,增强和移动。

关键词： gaas/gaalas 量子讲电光吸收调制

gaas/gaalas反应离子刻蚀腔面激光器

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Journal of Semiconductors 1991年第8期12卷 477-481,T001页

作者：庄婉如杨培生陈纪瑛李建中集成光电子学国家联合实验室中国科学院半导体实验区北京100083

采用反应离子刻蚀gaas/gaalas双异质结构激光器的一个腔面,已经获得室温下连续激射的效果,其阈电流比解理腔面高18％左右,量子效率低14％左右.

关键词： gaas/gaalas 离子刻蚀腔面激光器

gaas/gaalas激光放大器的双稳态特性研究

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激光与红外 1989年第4期19卷 20-22页

作者：江剑平董杰黄小康李艳和清华大学无线电系

我们实验研究了Gn_xAl_(1-x)As法珀型激光放大器在失谐状态下的双穗态特性并给出了理论分析。双稳态特性是由入射光的折射率改变所致。实验结果与理论分析结果基本一致。最小临界触发功率约为30μW。

关键词：激光放大器双稳态 gaas/gaalas

gaas/gaalas超晶格的光电流谱研究(英文)

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固体电子学研究与进展 1989年第4期 429-430页

作者：刘大欣江德生韩志勇段海龙吴荣汉中国科学院半导体研究所

The photocurrent (PC) spectroscopy of the gaas/AlAs and gaas/ Algaas superlattices (SLs) are studied by using a P-i-N photodiode structure in which the intrinsic regions are composed of SLs. The measurements were made at different temperatures ranging from 15K to 300K and with the application of transverse dc electric field. A sequence of exciton absorption peaks were observed and assigned according to the theoretical predictions based on the Kronig-Penney model calculations of sublevel energies in the coupled multiple quantum wells (MQWs). The SL structure parameters were checked by both the absolute peak positions and the heavy and light hole splittings. The quantum confined Stark effect of excitonic transitions in MQWs which is closely dependent on the barrier and well layer thicknesses was studied. The assignment of some forbidden transitions was proved by different ways. The PC spectroscopy was also measured by the excitation of linear polarized light in a side illumination *** anisotropic effect showed distinct features related to heavy and light holes, respectively.

关键词：超晶格 gaas/gaalas 电流谱

离散谱折射率法分析深刻蚀、单模gaas/gaalas脊形光波导

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光子学报 2000年第2期29卷 151-156页

作者：马慧莲李瑾杨建义王明华浙江大学信息与电子工程系杭州310027

本文采用离散谱折射率法对深蚀刻、Ga As/ Ga Al As多层脊形光波导模式特性进行了具体分析和设计 ,获得了较大截面、低损耗的单模脊形光波导 .利用这种横向具有最大折射率差的深蚀刻脊形光波导不但可以提高多模干涉 (MMI)型器件的性能 ... 详细信息

本文采用离散谱折射率法对深蚀刻、Ga As/ Ga Al As多层脊形光波导模式特性进行了具体分析和设计 ,获得了较大截面、低损耗的单模脊形光波导 .利用这种横向具有最大折射率差的深蚀刻脊形光波导不但可以提高多模干涉 (MMI)型器件的性能 ,而且在设计和制作弯曲波导、分支结构时 ,具有结构紧凑。

关键词：离散谱折射率法深刻蚀光波导 gaas/gaalas

电解液电反射法研究gaas/gaalas多层结构材料

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稀有金属 1991年第3期15卷 184-187页

作者：王周成彭瑞伍钱佑华中国科学院福建物质结构研究所中国科学院上海冶金研究所复旦大学

在研究gaas和gaalas电解液电反射谱的基础上,把电解液电反射方法与电化学可控阳极溶解技术结合起来,对gaas/gaalas多层结构材料进行深度剖面分析。根据阳极溶解过程中电反射谱的变化,研究了多层结构材料的界面性质、p-n结位置和纵向铝... 详细信息

在研究gaas和gaalas电解液电反射谱的基础上,把电解液电反射方法与电化学可控阳极溶解技术结合起来,对gaas/gaalas多层结构材料进行深度剖面分析。根据阳极溶解过程中电反射谱的变化,研究了多层结构材料的界面性质、p-n结位置和纵向铝组分分布。

关键词： gaas/gaalas 半导体电解液电反射

多功能2×2 gaas/gaalas多模干涉型光开关分析

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电子学报 2003年第8期31卷 1201-1204页

作者：肖金标孙小菡蔡纯张夕飞朱建彬张明德东南大学电子工程系江苏南京210096

提出了一种基于深刻蚀脊形光波导带模斑转换器的多功能 2× 2gaas/gaalas多模干涉型光开关 ,并用变量变换级数展开法及三维有限差分束传播法对其进行了模拟分析与优化设计 .结果表明 ,通过控制多模波导中央的两段Schottky电极 ,器件可... 详细信息

提出了一种基于深刻蚀脊形光波导带模斑转换器的多功能 2× 2gaas/gaalas多模干涉型光开关 ,并用变量变换级数展开法及三维有限差分束传播法对其进行了模拟分析与优化设计 .结果表明 ,通过控制多模波导中央的两段Schottky电极 ,器件可实现交叉态、直通态及 3dB耦合器功能 ,并有较大的制作容差、较宽的工作带宽 ,只须一个多模波导 ,器件结构紧凑 .采用深刻蚀脊形光波导能够满足多模干涉型器件的精确自镜像要求 ,并使输入 /输出光波导在单模工作下有较大的横截面 ,较低的弯曲损耗及较小的耦合串扰 .通道末端引入的模斑转换器可方便地与单模光纤连接耦合 .

关键词：光开关多模干涉 gaas/gaalas 变量变换级数展开法三维有限差分束传播法

gaas/gaalas多量子阱的光致荧光诊断

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物理学报 1988年第6期 906-915页

作者：贾惟义鲁志东黄绮周均铭李永康王彦云中国科学院物理研究所中国科学院物理研究所

利用光致荧光技术对gaas/gaalas多量子阱质量进行了诊断。讨论了量子阱厚度涨落,铝成份涨落,各种缺陷和非故意掺杂等对量子阱光致荧光谱的影响,并反过来,又由光致荧光谱来推断引起量子阱质量退化的原因。在一定程度上为分子束外延工艺... 详细信息

利用光致荧光技术对gaas/gaalas多量子阱质量进行了诊断。讨论了量子阱厚度涨落,铝成份涨落,各种缺陷和非故意掺杂等对量子阱光致荧光谱的影响,并反过来,又由光致荧光谱来推断引起量子阱质量退化的原因。在一定程度上为分子束外延工艺的改进提供了依据。

关键词：多量子阱 gaas/gaalas 激子阱宽荧光诊断分子束外延缓冲层荧光谱线宽束缚能

gaas/gaalas异质结双极型微波晶体管的研制和性能

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固体电子学研究与进展 1983年第3期 1-13页

作者：苏里曼北京电子管厂

本文介绍了砷化镓-镓铝砷Npn异质结双极型晶体管的设计原理.分析了该管在高频特性、开关特性、温度特性方面超过Si平面管的潜在优越性.叙述了制管工艺与直流、高频和温度特性等实验结果.给出了一个细线条结构的Npn gaas晶体管作为进一... 详细信息

本文介绍了砷化镓-镓铝砷Npn异质结双极型晶体管的设计原理.分析了该管在高频特性、开关特性、温度特性方面超过Si平面管的潜在优越性.叙述了制管工艺与直流、高频和温度特性等实验结果.给出了一个细线条结构的Npn gaas晶体管作为进一步考察高频和噪声性能的实例.理论计算表明:该管的最大振荡频率fmax可高达88GHz,在12GHz下的噪声系数为1.2dB.讨论了Npngaas平面晶体管和倒置晶体管的结构及其优点.最后比较了gaas双极型管和gaas MESFET的优缺点.

关键词： gaas/gaalas 高频性能 HBT 异质结双极型晶体管基区双极型发射区