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  • 2 篇 ga扩散
  • 1 篇 太阳能电池
  • 1 篇 硒化
  • 1 篇 cuinse2-cugase2两...
  • 1 篇 cigs
  • 1 篇 cigse薄膜太阳电池...

机构

  • 1 篇 普尼太阳能有限公...
  • 1 篇 北京大学
  • 1 篇 南开大学

作者

  • 1 篇 于平荣
  • 1 篇 刘玮
  • 1 篇 王东
  • 1 篇 李学耕
  • 1 篇 张晓勇
  • 1 篇 毛启楠
  • 1 篇 敖建平
  • 1 篇 张照景
  • 1 篇 张毅
  • 1 篇 孙云
  • 1 篇 孙国忠
  • 1 篇 高青
  • 1 篇 周志强
  • 1 篇 毕金莲
  • 1 篇 何青
  • 1 篇 贺劲鑫
  • 1 篇 向东

语言

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检索条件"主题词=Ga扩散"
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溅射后硒化法制备的CIGS薄膜中ga元素扩散研究
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物理学报 2014年 第11期63卷 407-412页
作者： 毛启楠 张晓勇 李学耕 贺劲鑫 于平荣 王东 北京大学工学院 北京100871 普尼太阳能(杭州)有限公司 杭州310051
溅射后硒化制备Cu(In,ga)Se2吸收层工艺过程中,ga元素在吸收层底部富集现象是较为普遍的.本文从预制层工艺和硒化工艺两个方面研究了ga元素在Cu(In,ga)Se2吸收层中扩散的影响因素.结果表明,预制层中的Cu/(In+ga)和硒化温度对ga元素扩散... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
ga在CuInga金属预制层后硒化制备CIGSe薄膜过程中的扩散机制研究
Ga在CuInGa金属预制层后硒化制备CIGSe薄膜过程中的扩散机制研究
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引用
TFC’17全国薄膜技术学术研讨会
作者： 毕金莲 敖建平 向东 高青 张照景 孙国忠 周志强 何青 孙云 张毅 刘玮 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室光电信息技术科学教育部重点实验室
In、ga与Se的反应速率不同导致金属预制层后硒化过程中形成CuInSe-CugaSe两相分离,Cu-ga与Se反应生成CugaSe相比Cu-In与Se反应生成CuInSe相需要更长时间或更高温度。CuInSe生成速率比CugaSe的快,使得CuInSe优先在薄膜表面生成,且随着反... 详细信息
来源： cnki会议 评论
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