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作者

  • 1 篇 唐道华

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电场下gaas/ga1-xAlxAs量子阱中的子带
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零陵学院学报 1988年 第3期 23-30页
作者： 唐道华
本文利用(左、右垒高不等)有限量子阱模型研究了电场对gA/g-xAlA量子阱中子带的影响,采用级数展开法和微扰论求得子带能及其波函数。已经计算了阱宽为D=105(?)的gA/CAlA量子阱中的电子和轻、重空穴的子带,电场在0至1.2×10~5V/cm范围内... 详细信息
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