检索结果-南通市图书馆

Unipolar electric-field-controlled nonvolatile multistate magnetic memory in ferh/(001)PMN-PT heterostructures over a broad temperature span

引用

Science China(Physics,Mechanics & Astronomy) 2022年第1期65卷 78-83页

作者： Kaiming Qiao Fengxia Hu Hu Zhang Ziyuan Yu Xianliang Liu Yuhang Liang Yi Long Jing Wang Jirong Sun Tongyun Zhao Baogen Shen School of Materials Science and Engineering University of Science and Technology BeijingBeijing 100083China Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics Institute of PhysicsChinese Academy of SciencesBeijing 100190China School of Physical Sciences University of Chinese Academy of SciencesBeijing 100049China Songshan Lake Materials Laboratory Dongguan 523808China Fujian Innovation Academy Chinese Academy of SciencesFuzhou 350108China Ganjiang Innovation Academy Chinese Academy of SciencesGanzhou 341000China

Multistate magnetic memory effect in heterostructures composed of ferh thin films with antiferromagnetic(AFM)-ferromagnetic(FM)phase transition and(001)-oriented PMN-PT substrates has been investigated.Utilizing a unipolar electric field,the nonvolatile change in magnetization was nearly doubled compared with that obtained utilizing a conventional bipolar bias.Four stable nonvolatile magnetic states were obtained over a broad temperature span,from 320 to 390K,by adjusting the amplitude of the unipolar electric pulses,demonstrating the possibility of realizing a multistate nonvolatile magnetic memory in the ferh/PMN-PT heterostructures.This work provides a new strategy for enhancing the magnetic response by utilizing unipolar electric fields and promotes the utilization of AFM-FM phase transition materials in multifunctional information storage and novel spintronic devices.

关键词： nonvolatile ferh PMN-PT electric-field control of magnetism

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

磁场调控ferh磁相变的研究

磁场调控FeRh磁相变的研究

引用

作者：刘辛丹兰州大学

学位级别：硕士

随着时代的发展,人们对磁存储技术提出了更高的要求,反铁磁(antiferromagnetic,AFM)自旋电子学器件由于其存储速度快、存储密度高和非易失性等优势而受到研究者的广泛关注。然而,AFM材料不易被调控的特性阻碍了AFM自旋电子学的发展。Fe... 详细信息

随着时代的发展,人们对磁存储技术提出了更高的要求,反铁磁(antiferromagnetic,AFM)自旋电子学器件由于其存储速度快、存储密度高和非易失性等优势而受到研究者的广泛关注。然而,AFM材料不易被调控的特性阻碍了AFM自旋电子学的发展。Fe Rh在室温附近具有AFM与铁磁(ferromagnetic,FM)之间相变的性质,使其成为未来AFM自旋电子学器件的候选材料之一。目前,大量的研究致力于利用一种或多种调控方式来操纵其磁相变。我们考虑到:交流磁场下FM相畴壁会反复运动,可能会对磁相变产生影响;沿着不同方向施加直流磁场会在FM相中引发不同的偶极场,进而对磁相变产生影响。本论文通过磁控共溅射以及热处理工艺在氧化镁(Mg O)和铌酸锂(Li Nb O)单晶衬底上制备出高质量的Fe Rh薄膜,并探究了交流磁场和磁偶极场对Fe Rh磁相变的操纵。主要研究内容和结果如下:(1)通过磁控共溅射制备了Mg O/Fe Rh/Ta和Li Nb O/Ta/Fe Rh/Ta多层薄膜,并探究了溅射基底、溅射功率、溅射位置、热处理时间、缓冲层对薄膜相变的影响,最终得到了有较好相变质量的Fe Rh薄膜制备工艺,并发现了Fe Rh相变中的锻炼效应。(2)通过电流焦耳热诱导Fe Rh薄膜的磁相变,研究面内交流磁场下相变的响应,并与直流磁场的结果作对比。在交流磁场下,升温支的相变(AFM-FM)和降温支的相变(FM-AFM)被不同程度地促进了,最终导致相变热滞后降低了2 K。我们认为对相变促进程度的差异与交流磁场下的FM畴壁振动有关。(3)分别沿着条带的纵轴,横轴以及垂直于薄膜平面施加外磁场,发现不同方向施加外磁场时相变具有不同的特性:当沿着条带的纵轴和横轴施加面内磁场时,相变曲线以相同的变化率向低电流方向平移;当外磁场与薄膜垂直时,相变曲线移动的幅度随着两相占比的变化而变化。这些现象与FM态的磁偶极场有关。我们沿着条带不同方向施加外磁场诱导出方向和大小都不同的磁偶极场,实现了FM态相邻的AFM态相变的操纵。

关键词： ferh 磁相变交流磁场磁偶极场

来源：

同方学位论文库评论

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

外延生长单晶ferh/MgO/PMN-PT异质结与电场调控磁性能

引用

磁性材料及器件 2021年第4期52卷 1-5页

作者：李振冲华东师范大学物理与电子科学学院上海200241

引入MgO薄膜作为缓冲层,采用磁控溅射镀膜方法在(001)取向[Pb(Mg1/3Nb2/3)O_(3)]0.7—x[PbTiO_(3)]0.3(PMN-PT)单晶铁电衬底上外延生长单晶ferh二元合金薄膜,从而获得单晶ferh/MgO/PMN-PT多层膜异质结。利用XRD进行物相分析和结构表征,... 详细信息

引入MgO薄膜作为缓冲层,采用磁控溅射镀膜方法在(001)取向[Pb(Mg1/3Nb2/3)O_(3)]0.7—x[PbTiO_(3)]0.3(PMN-PT)单晶铁电衬底上外延生长单晶ferh二元合金薄膜,从而获得单晶ferh/MgO/PMN-PT多层膜异质结。利用XRD进行物相分析和结构表征,表明MgO缓冲层的插入促使单晶ferh成功外延在铁电衬底PMN-PT上,其外延关系为ferh[100](001)/MgO[100](001)/PMN-PT[100](001)。利用磁光克尔测试设备对制备的单晶ferh薄膜面内磁各向异性和电场调控效果进行研究,结果表明单晶ferh薄膜表现出明显的面内四重对称性和显著的磁电耦合机制。在E=6 kV/cm的电场作用下,ferh薄膜的磁光克尔信号显著降低,撤掉电场后,磁光克尔信号有所增强,但仍低于初始态。磁光克尔信号的强弱变化归因于PMN-PT衬底与ferh薄膜的磁电耦合效应。

关键词：铁磁/铁电异质结外延生长 ferh 磁电耦合

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

铁电畴对ferh薄膜相变及磁热效应的调控

铁电畴对FeRh薄膜相变及磁热效应的调控

引用

中国稀土学会2020学术年会暨江西(赣州)稀土资源绿色...

作者：乔凯明胡凤霞王晶孙继荣沈保根中国科学院物理研究所

随着磁制冷技术的发展,磁热材料的研究逐渐扩展到微纳尺度,将现有的磁热材料薄膜化,不仅适应了器件微型化的发展趋势,还为解决宏观磁制冷材料应用中遇到的制冷温区窄、磁滞后损耗大、机械稳定性差等问题提供新思路。我们通过优化生长条... 详细信息

随着磁制冷技术的发展,磁热材料的研究逐渐扩展到微纳尺度,将现有的磁热材料薄膜化,不仅适应了器件微型化的发展趋势,还为解决宏观磁制冷材料应用中遇到的制冷温区窄、磁滞后损耗大、机械稳定性差等问题提供新思路。我们通过优化生长条件在不引入缓冲层的情况下成功地在(001)和(011)取向的PMN-PT衬底上生长出具有良好外延/取向的ferh薄膜[1,2],利用电场引起的应力记忆效应实现了滞后损耗的非易失性下降[2]。进一步地,利用球差电镜技术(ac-STEM),电子能量损失谱(EELS)和能量色散X射线光谱(EDX)等手段揭示了ferh/PMN-PT异质结的外延/取向生长机理[1]。HADDF图像分析表明在两种取向的PMN-PT衬底和ferh薄膜界面处均自然生成了厚度约为4nm的尖晶石结构的缓冲层,从而使ferh薄膜由于晶格失配产生的应变大幅降低,对于ferh薄膜外延生长起着关键性作用。界面处EELS和EDX元素分析结果表明,缓冲层中含有衬底中除Pb元素以外的所有元素,还含有来自薄膜的Fe元素,由此推断尖晶石结构缓冲层的形成是由于薄膜生长过程中衬底中的Pb原子挥发,薄膜中的Fe原子渗入Pb空位形成的。揭示ferh薄膜在大失配PMN-PT基片上的外延生长机理为获得调控的一级相变特性和磁热性能提供了重要基础保障[1]。利用处于菱方R相的PMN-PT衬底多畴结构特点在ferh薄膜中诱导产生具有不同应变的双畴结构,由此使(001)和(011)取向的PMN-PT衬底上生长的ferh薄膜均出现连续的两步相变,从而大幅拓宽制冷温区。同时,通过电场调控可以使ferh薄膜的制冷能力和磁熵变峰分布或集中在不同的温度区间以满足不同的制冷需求。在此基础上设计了电场磁场双场激励的AMR循环[1]。该工作为利用铁电畴拓宽一级相变材料可用制冷温区,调控磁熵变峰值和制冷能力提供了实验基础,为解决一级相变材料制冷温区窄这一关键性难题提供了新思路。

关键词：磁热效应铁电畴 PMN-PT ferh

来源： cnki会议评论

在线全文

cnki会议

学校读者我要写书评

暂无评论

第二相增强ferh合金循环稳定性和低场下的磁热性能

第二相增强FeRh合金循环稳定性和低场下的磁热性能

引用

中国稀土学会2021学术年会

作者：乔凯明张虎胡凤霞 Adler G.Gamzatov 王晶孙继荣沈保根北京科技大学中国科学院物理研究所

磁制冷技术以其节能环保的优势受到了广泛关注和研究。目前人们对于磁制冷材料的研究主要集中于制冷性能的提升,随着磁制冷材料在样机中的试用,材料的服役性能成为影响样机制冷性能的关键因素之一。当一级相变材料应用于磁制冷样机时,... 详细信息

磁制冷技术以其节能环保的优势受到了广泛关注和研究。目前人们对于磁制冷材料的研究主要集中于制冷性能的提升,随着磁制冷材料在样机中的试用,材料的服役性能成为影响样机制冷性能的关键因素之一。当一级相变材料应用于磁制冷样机时,需要经历数百万次磁场循环,然而一级相变材料的制冷性能随着磁场循环次数的增加会大幅降低,下降比例可达40-50%。因此,寻找一种有效途径提高磁制冷材料的循环稳定性以及低场下的磁热性能具有重要意义。我们以典型的ferh合金作为研究对象,通过直接测量的方式研究了引入第二相的ferh合金绝热温变在磁场和温度循环下演化以及在高频低场下的演化规律,从而证明通过引入第二相可以大大提高ferh合金ΔT在温度和磁场循环下的稳定性,在1.8T,0.2 Hz交变磁场循环下,ΔT降低了14%,远低于单相ferh之前报道的值(50%)。更重要的是,第二相的引入降低了AFM-FM相变驱动磁场,使其低场下ΔT显着增强,在0.62 T,1 Hz交变磁场下的ΔT比单相ferh的大70%。虽然ferh合金的ΔT呈现出频率依赖性,但随着频率从1 Hz增加到18.4 Hz,SCP从0.17到1.9 W/g,增加了8.3倍。基于磁弛豫的相变动力学分析测量表明,在ferh合金中引入了第二相,使其激活能垒降低,从而降低了其驱动场磁场。该工作为通过引入第二相提高一级相变材料ΔT循环稳定性和低磁场下磁热性能的提供了有力支持。

关键词：磁热效应 ferh 绝热温变循环稳定性频率依赖性

来源： cnki会议评论

在线全文

cnki会议

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：