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  • 1 篇 期刊文献

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学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程(可...
    • 1 篇 电子科学与技术(可...

主题

  • 1 篇 原子扩散
  • 1 篇 半导体材料
  • 1 篇 无机非金属材料
  • 1 篇 fe-si化合物
  • 1 篇 卢瑟福背散射

机构

  • 1 篇 贵州大学

作者

  • 1 篇 谢泉
  • 1 篇 梁艳
  • 1 篇 张晋敏
  • 1 篇 曾武贤

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=Fe-Si化合物"
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排序:
fesi薄膜中硅化的形成和氧化
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材料研究学报 2008年 第3期22卷 297-302页
作者: 张晋敏 谢泉 梁艳 曾武贤 贵州大学新型光电子材料与技术研究所 贵州大学电子科学与信息技术学院贵阳550025
用磁控溅射方法制备fe/si薄膜,采用卢瑟福背散射(RBS)技术研究了退火过程中的相变过程和氧化.结果表明:未退火的fe/si薄膜界面清晰,873 K退火后,界面附近fesi原子开始相互扩散,973 K退火后富金属相fe_(1+x)si形成,而1073 K退火后形成... 详细信息
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