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一种新的宽带fet模型理论理论和计算机的分析计算

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上海半导体 1992年第4期 1-7,11页

作者：林海沈秀英

氮化镓HEMT器件的新型Cold fet模型

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电子器件 2008年第6期31卷 1765-1768页

作者：郑惟彬李晨李辉陈堂胜任春江单片集成电路与模块国家重点试验室南京210016 中国电子科技集团公司基础部北京100038

改进等效寄生电感的提取对提高小信号等效电路模型的仿真精度具有重要意义,尤其是氮化镓器件(GaN)。针对传统的等效寄生电感提取方法,本文推导了用于GaN HEMT器件的新型Cold fet模型及参数提取。通过对栅宽分别为200μm和1 000μm GaN H... 详细信息

改进等效寄生电感的提取对提高小信号等效电路模型的仿真精度具有重要意义,尤其是氮化镓器件(GaN)。针对传统的等效寄生电感提取方法,本文推导了用于GaN HEMT器件的新型Cold fet模型及参数提取。通过对栅宽分别为200μm和1 000μm GaN HEMT的仿真/测试,表明:新的Cold fet模型可用于GaN HEMT器件等效寄生电感的提取。这将有助于场效应晶体管模型的研究。

关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管 Cold fet模型

一种基于非平衡态格林函数的准三维Finfet模型

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Journal of Semiconductors 2005年第6期26卷 1191-1196页

作者：邵雪余志平清华大学微电子学研究所北京100084

提出了一种针对Finfet器件的准三维量子力学模型.采用非平衡态格林函数方法计算器件中的弹道输运电流,同时在器件垂直于沟道方向的横截面上求解二维的薛定谔方程来得到载流子的态密度分布,最终实现与三维泊松方程的自恰求解.模拟结果显... 详细信息

提出了一种针对Finfet器件的准三维量子力学模型.采用非平衡态格林函数方法计算器件中的弹道输运电流,同时在器件垂直于沟道方向的横截面上求解二维的薛定谔方程来得到载流子的态密度分布,最终实现与三维泊松方程的自恰求解.模拟结果显示纳米尺度的Finfet器件具有良好的开关特性和亚阈值特性.这个模型还能适用于量子线等其他三维结构的纳米器件.

关键词：非平衡态准三维 fet模型 Finfet 格林函数方法量子力学模型态密度分布薛定谔方程亚阈值特性弹道输运纳米器件三维结构开关特性纳米尺度模拟结果泊松方程载流子横截面量子线求解

CMC相中两款MOSfet模型实施标准化拟取代BSIM3／4

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现代电子技术 2005年第13期28卷 i003-i003页

Compact Model Council(CMC)已经选中两款下一代金属氧化物半导体场效应管(MOSfet)模型进行标准化，以取代现有的行业标准BSIM3与BSIM4模型。

关键词：标准化 fet模型金属氧化物半导体场效应管 MOS Compact C相 CM Model 行业标准

是德科技先进的Dynafet建模系统在中电十三所搭建成功

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半导体信息 2017年第5期 23-24页

电子网消息,是德科技日前宣布,其先进的Dynafet建模系统在中国电子科技集团公司第十三研究所（以下简称为中电十三所）顺利搭建成功。Dynafet是以非线性矢量网络分析仪（NVNA）和人工神经网络（ANN）为基础的创新性的化合物半导体晶体... 详细信息

电子网消息,是德科技日前宣布,其先进的Dynafet建模系统在中国电子科技集团公司第十三研究所（以下简称为中电十三所）顺利搭建成功。Dynafet是以非线性矢量网络分析仪（NVNA）和人工神经网络（ANN）为基础的创新性的化合物半导体晶体管非线性模型。与许多其他的氮化镓/砷化镓模型不同,可扩展的Dynafet模型可生成通用的全局模型,而无需额外针对特定应用的参数调整,可应用于各类功率放大器的设计。

关键词：中国电子科技集团公司建模系统非线性模型矢量网络分析仪化合物半导体人工神经网络 fet模型功率放大器

是德科技先进的Dynafet建模系统在中电十三所搭建成功

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国外电子测量技术 2017年第9期36卷 29-29页

2017年9月4日,是德科技公司（NYSE：KEYS）日前宣布,其先进的Dynafet建模系统在中国电子科技集团公司第十三研究所（以下简称为中电十三所）顺利搭建成功。Dynafet是以非线性矢量网络分析仪（NVNA）和人工神经网络（ANN）为基础的创新... 详细信息

2017年9月4日,是德科技公司（NYSE：KEYS）日前宣布,其先进的Dynafet建模系统在中国电子科技集团公司第十三研究所（以下简称为中电十三所）顺利搭建成功。Dynafet是以非线性矢量网络分析仪（NVNA）和人工神经网络（ANN）为基础的创新性的化合物半导体晶体管非线性模型。与许多其他的氮化镓/砷化镓模型不同,可扩展的Dynafet模型可生成通用的全局模型.

关键词：中国电子科技集团公司建模系统非线性模型矢量网络分析仪化合物半导体人工神经网络 fet模型全局模型

用全地区MOSfet建模进行CMOS模拟设计

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国外科技新书评介 2011年第1期 19-19页

作者： M6rcio Cherem Schneider（）

本书是模拟集成电路设计课程的一本经典教材，作者从CMOS技术的前沿出发，结合丰富的工程和教学经验，对CMOS模拟电路设计的原理和技术以及容易被忽略的问题给出了详尽论述，阐述了全地区MOSfet建模的设计方法。本书覆盖了模拟电路设计... 详细信息

本书是模拟集成电路设计课程的一本经典教材，作者从CMOS技术的前沿出发，结合丰富的工程和教学经验，对CMOS模拟电路设计的原理和技术以及容易被忽略的问题给出了详尽论述，阐述了全地区MOSfet建模的设计方法。本书覆盖了模拟电路设计的基本知识。不同于以往标准的平方率模型，本书介绍了一种对各个应用领域都有效的基于MOSfet模型的独特的设计方法。

关键词： CMOS技术 MOSfet 模拟设计建模模拟电路设计 fet模型模拟集成电路设计方法