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用f1ash制作英语听力训练课件

教育信息技术 2003年第10期 39-41页

作者：张玲玲何登荣广西桂平市城南小学广西桂平市第四中学

一、基本设想在荧幕上出现有4个单词的画面,并播放其中一个单词的读音.学生通过对该读音作出判断,单击相应的按钮选择答案.如果答案正确,则出现这一实物的图片和闪烁的单词以及一些鼓励性的语句或文字或图片.如果答案错误,则出现要求重... 详细信息

一、基本设想在荧幕上出现有4个单词的画面,并播放其中一个单词的读音.学生通过对该读音作出判断,单击相应的按钮选择答案.如果答案正确,则出现这一实物的图片和闪烁的单词以及一些鼓励性的语句或文字或图片.如果答案错误,则出现要求重做的画面.学生选择相应的按钮重做,直到正确为止.

关键词： f1ash 小学英语听力训练课件制作

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把f1ash应用到课件制作中

海南教育 2002年第11期 19-19,38页

作者：莫伟东海南农垦海口中专学校

flash器件中氧化硅/氮化硅/氧化硅的特性

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Journal of Semiconductors 2003年第5期24卷 516-519页

作者：欧文李明钱鹤中国科学院微电子中心北京100029

对普遍采用的氧化硅 /氮化硅 /氧化硅 ( ONO)三层复合结构介质层的制备工艺及特性进行了研究分析 ,研究了 ONO的漏电特性以及顶氧 ( top oxide)和底氧 ( bottom oxide)的厚度对 ONO层漏电的影响 .结果表明 ,采用较薄的底氧和较厚的顶氧 ... 详细信息

对普遍采用的氧化硅 /氮化硅 /氧化硅 ( ONO)三层复合结构介质层的制备工艺及特性进行了研究分析 ,研究了 ONO的漏电特性以及顶氧 ( top oxide)和底氧 ( bottom oxide)的厚度对 ONO层漏电的影响 .结果表明 ,采用较薄的底氧和较厚的顶氧 ,既能保证较高的临界电场强度 ,又能获得较薄的等效氧化层厚度 ,提高耦合率 ,降低编程电压 .

关键词：快闪存储器 f1ash 氧化硅/氮化硅/氧化硅 ONO介质层漏电临界电场强度

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用flash制作交互式课件

四川职业技术学院学报 2004年第1期14卷 119-120页

作者：朱永金四川职业技术学院四川遂宁629000

以制作模拟电路课件为例,介绍了flash课件制作基本方法和flash课件的特点。用flash制作课件,能充分利用flash对文字和图形进行动画处理,将比较抽象的知识用flash动画演示加以形象表现。flash课件能做到具有良好的交互性,由学生自主控制... 详细信息

以制作模拟电路课件为例,介绍了flash课件制作基本方法和flash课件的特点。用flash制作课件,能充分利用flash对文字和图形进行动画处理,将比较抽象的知识用flash动画演示加以形象表现。flash课件能做到具有良好的交互性,由学生自主控制学习。flash课件不需专门的软件播放,发布在校园网上,用浏览器可直接观看。

关键词： f1ash 交互式课件课件制作电子线路教学教学手段

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用flash制作地理实用图片的技巧

中学地理教学参考 2005年第9期 45-47页

作者：胡建民浙江省宁波华茂外国语学校 315192

一、绘制图片，1．曲线绘制，地理图片中，经常有曲线出现，如经纬线、等值线等，见图1、图2。在flash中，绘制曲线的方法很多。①对规则、对称的曲线，如图1中的经线，可用“线段”加“箭头”工具。先画一条直线，然后用“箭头”点住... 详细信息

一、绘制图片，1．曲线绘制，地理图片中，经常有曲线出现，如经纬线、等值线等，见图1、图2。在flash中，绘制曲线的方法很多。①对规则、对称的曲线，如图1中的经线，可用“线段”加“箭头”工具。先画一条直线，然后用“箭头”点住直线（在不选中情况下）拖动，即成各种弧度曲线。②对较规则的，精度要求不太高的曲线，如图2中的等值线，可用“铅笔”工具，在下面的选项中选“平滑”，大致画好曲线，再用“箭头”工具进行修改。要注意的是，“箭头”工具只能对整条线段进行弯曲，但多数情况下我们需要对线段的某一部分进行弯曲。这时，可用增加“节点”的办法，在按住ALT键的同时，对线段上的某一点拖动，就会产生一个“节点”。

关键词： f1ash 实用图片中学地理教学课件制作

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针对固态硬盘应用的多通道闪存控制器实现

中国集成电路 2012年第1期21卷 36-41页

作者：陈宏铭程玉华北京大学上海微电子研究院上海201203

本文介绍一种基于MLC闪存和AHB总线的高速大容量数据控制系统的硬件实现方法,所提出的闪存控制器实现带8个8K字节缓冲器的高效率缓冲管理控制器来管理8个通道,每个通道可以连接8个闪存芯片。文中还介绍了快闪存储器存储单元的空白检查... 详细信息

本文介绍一种基于MLC闪存和AHB总线的高速大容量数据控制系统的硬件实现方法,所提出的闪存控制器实现带8个8K字节缓冲器的高效率缓冲管理控制器来管理8个通道,每个通道可以连接8个闪存芯片。文中还介绍了快闪存储器存储单元的空白检查和交叉存取操作。实验结果证明该固态盘控制器的最高读速度为230.2MB/s,最高写速度为101.9MB/s.最后给出了控制器的综合结果和功耗分析,在24比特BCH纠错与一个通道的配置条件下,控制器的实现需要315K逻辑门。

关键词： NAND f1ash SSD AHB