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mechanism of SrS∶Ce Thin Film electroluminescence

Journal of Rare Earths 1999年第2期17卷 25-28页

作者： Xu, Zheng Xu, Chunxiang Lou, Zhidong Xu, Xurong Northern Jiaotong Univ Beijing China

The influence of the delocalization probability on the mixing interaction between excited levels of Ce3+ and the conduction band of SrS was analysed. The observation of emission wave forms of SrSCe thin film electroluminescence showed that only leading edge emission peak was observed for one sample and the leading and trailing edge emission peaks were observed for another in a half period of sinusoid applied voltage. This difference is related to the influences of sulphur vacancies on the excitation and emission processes. The leading edge emssion is dominated by discrete luminescence caused by direct impact excitation and the trailing edge emission and a part of leading edge emission belong to recombination luminescence caused by impact ionization and delocalization.

关键词： Rare earths Cerium Strontium sulphide Thin film electroluminescence mechanism

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