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检索条件"主题词=Droplet epitaxy"
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Extremely Low Density InAs Quantum Dots with No Wetting Layer
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Chinese Physics Letters 2007年 第4期24卷 1025-1028页
作者： 黄社松 牛智川 倪海桥 詹锋 赵欢 孙征 夏建白 State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Beijing 100083
Extremely low density InAs quantum dots （QDs） are grown by molecular beam droplet epitaxy. The gallium deposition amount is optimized to saturate exactly the excess arsenic atoms present on the GaAs substrate surfac... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 评论
Holed Nanostructures Formed by Aluminum droplets on a GaAs Substrate
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Nano Research 2010年 第7期3卷 490-495页
作者： Alvason Zhenhua Li Zhiming M.Wang Jiang Wu Gregory J.Salamo Institute of Nanoscale Science and Engineering University of ArkansasFayettevilleArkansas 72701USA
We have studied the morphology evolution of holed nanostructures formed by aluminum droplet epitaxy on a GaAs *** outer rings with concentric inner holed rings were ***,an empirical equation to describe the size distr... 详细信息
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