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Identification of the optimal doping position of hetero-atoms in chalcogen-doped Fe-N-C catalysts for oxygen reduction reaction

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Particuology 2024年第6期89卷 99-108页

作者： Weihao Liu Huanhuan He Qingtao Liu Xin Wan Jianglan Shui School of Materials Science and Engineering Beihang UniversityBeijing100191China School of Space and Environment Beihang UniversityBeijing102206China Tianmushan Laboratory Hangzhou310023China

The excellent oxygen reduction reaction(ORR)activity of Fe–N–C catalysts in acidic media makes them potential for low-cost proton exchange membrane fuel *** recent years,it has been shown that heteroatoms(B,O,S,P,Cl,F,etc.)can be used as electron-withdrawing groups to modulate the planar structure and electron distribution of the Fe–Nx active sites to achieve simultaneous improvement of catalytic activity and ***,the optimal location of the heteroatoms remains ***,taking chalcogen heteroatoms(S and Se)as an example,we control the doping positions and investigate their effect on the ORR performance of the Fe–N–C *** first coordination shell of the iron single atom is identified as the optimal doping *** optimized catalysts Fe–N_(3)Se_(1)/NC and Fe–N_(3)Se_(1)/NC demonstrate improved activity and stability in both half cells and fuel *** work provides insights into the enhancement mechanism of heteroatom doping in single-atom catalysts.

关键词： Oxygen reduction reaction Fe-N-C catalysts Hetero-atom doping doping position Enhancement mechanism

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Influence of doping position on the extinction ratio of Mach-Zehnder-interference based silicon optical modulators

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Journal of Semiconductors 2012年第1期33卷 77-79页

作者： Zhao Yong Wang Wanjun Shao Haifeng Yang Jianyi Wang Minghua Jiang Xiaoqing Department of Information Science and Electronics Engineering Zhejiang University Hangzhou 310027China

The extinction ratio （ER） ofa Mach-Zehnder-interference （MZI） based silicon optical modulator can be strongly influenced by carrier absorption. Moreover, different doping positions can induce different distributions of injected carriers, leading to different ERs. This effect has been experimentally investigated based on the devices fabricated on silicon-on-insulator （SOl） by using a 0.18μm CMOS process. Our experiments indicate that a device with a doping position of about 0.5μm away from the edge of the rib waveguide has optimal ER.

关键词： silicon photonics modulator carrier dispersion effect carrier absorption doping position

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