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Observation of Resistive Switching Memory by Reducing device size in a New Cr/CrO_x/TiO_x/TiN Structure

Nano-Micro Letters 2015年第4期7卷 392-399页

作者： Debanjan Jana Subhranu Samanta Sourav Roy Yu Feng Lin Siddheswar Maikap Thin Film Nano Tech. Lab. Department of Electronic Engineering Chang Gung University

The resistive switching memory characteristics of 100 randomly measured devices were observed by reducing device size in a Cr/Cr Ox/Ti Ox/Ti N structure for the first *** electron microscope image confirmed a viahole size of 0.4 lm.A 3-nm-thick amorphous Ti Oxwith 4-nm-thick polycrystalline Cr Oxlayer was observed.A small 0.4-lm device shows reversible resistive switching at a current compliance of 300 l A as compared to other larger size devices(1–8 lm)owing to reduction of leakage current through the Ti *** device-to-device uniformity with a yield of[85%has been clarified by weibull distribution owing to higher slope/shape *** switching mechanism is based on oxygen vacancy migration from the Cr Oxlayer and filament formation/rupture in the Ti *** read pulse endurance of[105cycles,good data retention of 6 h,and a program/erase speed of 1 ls pulse width have been obtained.

关键词： CrOx TiOx Resistive switching memory Slope/shape factor device size

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