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Plasmonically enhanced solar-blind self-powered photodetector array utilizing Pt nanoparticles-modified Ga₂O₃ nanorod heterojunction

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PHOTONICS RESEARCH 2025年第1期13卷 140-149页

作者： Zhao, Qinzhi Mao, Lingfeng Wan, Peng Li, Lijian Tang, Kai Kan, Caixia Shi, Daning Wang, Xiaoxuan Jiang, Mingming Nanjing Univ Aeronaut & Astronaut Coll Phys MIIT Key Lab Aerosp Informat Mat & Phys Key Lab Intelligent Nano Mat & Devices Nanjing 211106 Peoples R China Southeast Univ Sch Elect Sci & Engn State Key Lab Digital Med Engn Nanjing 210096 Peoples R China

Low-dimensional Ga2O3 monocrystalline micro/nanostructures show promising application prospects in largearea arrays, integrated circuits, and flexible optoelectronic devices, owing to their exceptional optoelectronic performance and scalability for mass production. Herein, we developed an 8 x 8 array of high-performance solar-blind ultraviolet photodetectors based on Pt nanoparticles-modified Ga2O3 (PtNPs@Ga2O3) nanorod film heterojunction with p-GaN substrate serving as the hole transporting layer. The PtNPs@Ga2O3/GaN heterojunction detector units exhibit outstanding photovoltaic performance at 0 V bias, demonstrating high responsivity (189.0 mA/W), specific detectivity (4.0 x 1012 Jones), external quantum efficiency (92.4%), and swift response time (674/692 mu s) under an irradiance of 1 mu W/cm2 at 254 nm. Their exceptional performance stands out among competitors of the same type. In addition, the detector array demonstrated satisfactory results in a conceptual demonstration of high-resolution imaging, benefiting from the excellent stability and uniformity exhibited by its array units. These findings provide a straightforward and viable method for developing a high-performance solar-blind ultraviolet detector array based on low-dimensional Ga2O3 nanorod monocrystalline, demonstrating their potential advancement in large-area, integrable, and flexible optoelectronic devices. (c) 2024 Chinese Laser Press

关键词： detector arrays Image sensors Nanostructures Photodetectors Quantum efficiency Scanning electron microscopy

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Analysis on Additional Crosstalk Caused by Oblique Incident Ray on PIN detector Array

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Semiconductor Photonics and Technology 2000年第1期6卷 29-33页

作者： CAO Jun-kai (Chongqing Optoelectronics Research Institute, Chongqing 400060,CHN) 重庆市光电技术所重庆 400060

The crosstalk caused by oblique incident ray on a PIN detector array is analyzed. An integral expression of crosstalk factor in relation to incident angle and structure parameters is deduced and the correctness of the... 详细信息

关键词： Si-photodiode detector arrays Crosstalk

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