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Stability performance of optimized symmetric dg-mosfet

Journal of Semiconductors 2013年第10期34卷 39-42页

作者： K Sivasankaran P S Mallick School of Electrical Engineering VIT UniversityVelloreTamilnaduIndia

This article presents the bias and geometry optimization procedure for the radio frequency （RF） stability performance of nanoscale symmetric double-gate metal-oxide semiconductor field-effect transistors （dg- mosfets）. The stability model can provide hints for optimizing the dg-mosfet under an RF range. The device parameters are extracted for different bias and geometry conditions through numerical simulation, and the RF figures of merit such as cut-off frequency （ft） and maximum oscillation frequency （fmax）, along with stability factor, are calculated for an optimized structure. The proposed structure exhibits good RF stability performance.

关键词： dg-mosfet radio frequency stability factor numerical simulation

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Novel attributes and design considerations of effective oxide thickness in nano dg mosfets

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Chinese Physics B 2015年第4期24卷 391-397页

作者： Morteza Charmi Department of Nano Physics Malekashtar University of Technology

Impacts of effective oxide thickness on a symmetric double-gate mosfet with 9-nm gate length are studied, using full quantum simulation. The simulations are based on a self-consistent solution of the two-dimensional(2D) Poisson equation and the Schr ¨odinger equation within the non-equilibrium Green’s function formalism. Oxide thickness and gate dielectric are investigated in terms of drain current, on-off current ratio, off current, sub-threshold swing, drain induced barrier lowering, transconductance, drain conductance, and voltage. Simulation results illustrate that we can improve the device performance by proper selection of the effective oxide thickness.

关键词： dg-mosfet effective oxide thickness non-equilibrium Green’s function oxide thickness gate dielectric permittivity

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