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Electron irradiation effects on DC electrical performances of SiGe HBT in a comparison with Si BJT

Rare Metals 2004年第4期23卷 330-339页

作者： MENGXiangti ZHANGXimin WANGJilin HUANGWentiao CHENPeiyi KLAHongyong InstituteofNuclearandNewEnergyTechnology TsinghuaUniversityBeijing100084China InstituteofMicroelectronics TsinghuaUniversityBeijing100084China

The DC characteristics of SiGe HBT irradiated at different electron dose havebeen studied in a comparison with those of Si B JT. Generally, I_b and I_b - I_(b0) increase, I_c,I_c -I_(c0) and its +/- transition V_(be) as well as DC current gain ft decreases with increasingdose; increase of I_b -I_(b0) with increasing dose for Si BIT is much larger than that for SiGe HBT;beta increases with V_(be) or I_b, but decreases at I_b performance than Si BJT. Some anomalous phenomena forincrease of I_c, I_c -I_(c0), I_b -I_(b0) and beta at low dose have been found. Some electron trapshave been measured. The mechanism of changes of characteristics is discussed.

关键词： semiconductor technology SiGe HBT electron irradiation Si BJT dcelectrical performance

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