检索结果-南通市图书馆

微波学报 2016年第5期32卷 62-65页

作者：林滑余厉阳孟凡亮文进才余志平杭州电子科技大学电子信息学院杭州310018 清华大学微电子学研究所北京100084

基于dyakonov-shur效应（d-s效应）利用MOsFET可构建太赫兹源。研究表明MOsFET沟道内的1 m V信号在偏置电压的作用下产生波动并形成等离子波,其电学特性与谐振腔相似。当MOsFET外接5 V的偏置电压源时,输出频率为2.15 THz、峰值为2 m V... 详细信息

基于dyakonov-shur效应（d-s效应）利用MOsFET可构建太赫兹源。研究表明MOsFET沟道内的1 m V信号在偏置电压的作用下产生波动并形成等离子波,其电学特性与谐振腔相似。当MOsFET外接5 V的偏置电压源时,输出频率为2.15 THz、峰值为2 m V的等离子信号。通过调节偏置电压（1-20 V）可以使输出信号在0.96-4.30 THz范围内调频。此外,MOsFET在5 V的偏置电压和5 A的偏置电流的共同作用下,沟道内产生的等离子波随时间的推移以指数形式放大。受器件限制和沟道夹断效应影响,该信号源的最大输出电压为20 V,电压增益最大可达到86 d B,最大输出功率为200 W。在器件允许范围内,偏置电压越大信号频率越高、偏置电流越大起振时间越短,且偏置电流引起的信号频偏小。

关键词： d-s效应等离子波 MOsFET 太赫兹源

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