检索结果-南通市图书馆

微纳电子技术 2014年第7期51卷 465-469,474页

作者：苗英新王胜利刘玉岭王辰伟孙铭斌洪姣河北工业大学微电子研究所天津300130

化学机械抛光（CMP）过程中苯并三氮唑（bta）与金属铜反应生成表面难溶、难以去除的cu—bta钝化膜，是抛光后清洗过程中主要去除的对象。采用自主研发的FA／OⅡ型碱性螯合剂作为清洗液的主要成分，并对清洗过程中有效去除cu—bta的螯... 详细信息

化学机械抛光（CMP）过程中苯并三氮唑（bta）与金属铜反应生成表面难溶、难以去除的cu—bta钝化膜，是抛光后清洗过程中主要去除的对象。采用自主研发的FA／OⅡ型碱性螯合剂作为清洗液的主要成分，并对清洗过程中有效去除cu—bta的螯合剂体积分数进行了研究。通过cu—bta膜厚生长实验，确定cu—bta的生长方式。根据bta在不同FA／O型螯合剂中溶解度对比实验，确定FA／OⅡ型螯合剂为清洗液的主要成分。通过大量实验得到，FA／OⅡ型螯合剂体积分数为0．0075％～0．015％时，能有效去除cu—bta钝化膜及表面其他残留物，接触角下降到29°，表面粗糙度得到改善约为3．91nm。此外，静态腐蚀速率实验进一步验证接触角的测试结果，确定有效去除cu—bta的螯合剂体积分数。

关键词：螯合剂清洗剂 cu—bta聚合物接触角静态腐蚀速率粗糙度

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