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Effect of Chemical Doping and Ion Implantation on Cond uctivity of Poly(p-phenylene vinylene) Derivatives

Semiconductor Photonics and Technology 2005年第3期11卷 188-191页

作者： LI Bao-ming WU Hong-cai LIU Xiao-zeng LI Xiao-qi GAO Chao Institute of Photoelectric Technol. and Solar energy School of Electron. and Inform. Eng. Xi＇an Jiaotong University Xi＇an 710049 CHN

The surface conductivity of poly [ 2-methoxy-5-（3＇-methyl） butoxy]-p-phenylene vinylene （PMOMBOPV） films doped with FeCl3 and H2SO4 by chemical method and implanted by N^＋ ions was studied and the comparison of environmental stability of conductive behavior was also investigated. The energy and dose of N^＋ ions were in the rang 15～35 keV and 3. 8×10^15～9. 6×10^16 ions/cm^2, respectively. The conductivity of PMOMBOPV film was enhanced remarkably with the increases of the energy and dose of N^＋ ions. For example, the conductivity of PMOMBOPV film was 3. 2×10^-2S/cm when ion implantation was performed with an energy of 35 keV at a dose of 9. 6 × 10^14 ions/cm^2 , which was almost seven orders of magnitude higher than that of film unimplanted. The environmental stability of conductive behavior for ionimplanted film was much better than that of chemical doped films. Moreover, the conductive activation energy of ion-implanted films was measured to be about 0.17 eV.

关键词： Ion implantation Chemical doping Poly[2-methoxy-5-(3'-methyl)butoxy]-p-phenylene vinylene Surface conductivity conductive activation energy

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