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Preparation and characterization of Cd_(1-x)Zn_xS buffer layers for thin film solar cells

Rare Metals 2013年第1期32卷 47-51页

作者： Tian-Wei Zhang Cheng-Jun Zhu Chao-Zheng Wang Jian Li Key Laboratory of Semiconductor Photovoltaic Technology of Inner Mongolia Autonomous Region School of Physical Science and Technology Inner Mongolia University

Cd1_xznxs （x = 0, 0.1, 0.2, 0.3, 1.0） thin films have been grown successfully on soda-lime glass substrates by chemical bath deposition technique as a very promising buffer layer material for optoelectronic device applications. The composition, structural properties, surface morphol- ogy, and optical properties of Cd~_xznxs thin films were characterized by energy dispersive analysis of X-ray tech- nique （EDAX）, X-ray diffraction （XRD）, scanning electron microscopy （SEM）, and UV-Vis spectrophotometer tech- niques, respectively. The annealed films were observed to possess the deficient sulfur composition. The results of XRD show that the Cdl_xznxs （x = 0. l） thin film annealed at 450 ~C forms hexagonal （wurtzite） structure with lattice parameters a = 0.408814 nm, c ： 0.666059 nm, and its average grain size is 24.9902 nm. The diffraction peaks become strong with the increasing annealing temperatures. The surface of Cdl_~ZnxS （x = 0.1） thin film annealed at 450 ~C is uninterrupted and homogenous as compared to other temperatures. From optical properties, it is observed that the presence of small amount of Zn results in marked changes in the optical band gap of CdS. The band gaps of the Cdl_xznxs thin films vary from 2.42 to 3.51 eV as composition varies from x = 0.0 to 1.0.

关键词： Solar cells Buffer layers chemicalcdl_xznxs thin films bath deposition

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